上周，“行家说三代半”梳理了美国《芯片与科学法案》落地后对本土SiC企业的补助情况（点击这里），而在近日，美国商务部又宣布将为博世集团提供高额补贴，以支持其SiC 产能扩张。12月13日，据路透社等媒体报道，美国商务部已与博世集团达成初步协议，将为后者提供高达 2.25 亿美元（约合人民币16.38亿）的补贴及约 3.5 亿美元（约合人民币25.48亿）的拟议政府贷款，用于碳化硅功率半导体工厂改造及产能提升。
通过这笔资金，博世集团将改造其位于加利福尼亚州罗斯维尔的8英寸硅晶圆厂，从而建设碳化硅晶圆产线，并计划在2026年生产首批8英寸碳化硅芯片。据悉，目前该项目总投资为19亿美元（约合人民币138.32亿），预计新增1700个就业岗位。美国商务部表示，当罗斯维尔工厂达到满负荷生产时，该项目将占美国所有碳化硅器件生产能力的 40% 以上。实际上，博世集团于2023年4月就宣布收购了加州芯片制造商 TSI Semiconductors 的关键资产，包括厂房、机器和基础设施以及其商业半导体业务，并计划投资15亿美元改造TSI位于加州罗斯维尔的芯片生产设施，到2026年开始生产碳化硅芯片。
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同时，博世集团也表示，他们计划的投资范围将在很大程度上取决于《芯片和科学法案》提供的联邦资助机会以及加利福尼亚州的经济发展机会。
另一方面，博世集团董事会主席Stefan Hartung 博士认为，通过收购 TSI ，他们正在建立 SiC 芯片的生产能力，同时在全球范围内增加半导体制造能力。通过这种方式，博世正在系统地加强其半导体业务，并将在 2030 年底前大幅扩展其全球 SiC 芯片产品组合。
据了解，博世集团旗下共有两座碳化硅工厂，除了正在进行改造的美国罗斯维尔工厂，还有一座是德国罗伊斯特根工厂，该工厂于2021年投产了基于6英寸碳化硅晶圆的车规级芯片，目前正在生产基于8英寸晶圆的碳化硅芯片样品。
值得关注的是，今年9月，博世汽车电子中国区总裁Norman Roth博士在接受媒体采访时表示，博世已经为客户提供8英寸碳化硅芯片样品用于产品验证及整车试跑，之前规划的2026年8英寸碳化硅投产计划，目前进展符合预期，不排除会提前实现量产交付。
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