开关电源芯片U2315X优化的ESD/EMI性能

开关电源芯片 2024-12-13 15:42
  开关电源芯片U2315X优化的ESD/EMI性能


芯片的ESDElectro-Static Discharge,静电放电)性能是指芯片在静电放电事件中的保护能力和可靠性。‌ESD是电子设备中常见但又极具破坏性的现象,可能导致芯片损坏、系统故障甚至整个设备的瘫痪。因此,ESD性能是芯片可靠性的关键因素之一。开关电源芯片U2315X优化的ESD性能EMI性能,可提供更有利保护,‌典型功率表如下:

PCB设计对电源的EMI,ESD等性能有显著影响,开关电源芯片U2315X设计原边回路时建议参考下图的内容 (以SOP-为例)。

1. 原边主功率环路 (Loop1) 的面积应尽可能小,同时走线应尽可能粗以优化效率。

2. RCD 吸收回路 (Loop2) 的面积应尽可能小。

3. VDD 电容 C3 应紧贴芯片,保证 VDD 回路(Loop3) 的面积尽可能小。

4. 如 Line1 所示,辅助绕组应直接连接到输入容的地,以减少ESD能量对于芯片的干扰。

5. 如 Line2 所示,VDD电容C3及FB下阻R5应先连接到芯片的GND管脚,再连接到输入电容的地。

开关电源芯片U2315X主要特性:

& 集成 800V 高压功率三极管

& 谷底开通、原边控制、系统效率高

& 电源系统单点失效保护

& 多模式原边控制方式

& 优异的动态响应

& 集成动态三极管驱动电路

& 优化的 EMI 性能

& 优化的 ESD 性能

& 工作无异音

& 恒流、恒压调整率小于 ±5%

& 超低待机功耗 <50mW

& 线损补偿功能

& 集成完备的保护功能:

输出短路保护 (FB SLP)

输出过压保护功能 (FB OVP)

逐周期限流保护 (OCP)

过热保护 (OTP)

VDD 过压、欠压和钳位保护

& 封装类型 SOP-7


开关电源芯片U2315X集成了三极管基极动态驱动技术以优化系统效率。基极驱动电流随着负载状态动态调节,输出负载越大,基极驱动电流越大,且基极驱动电流正比于CS管脚峰值电压信号。优化设计的动态响应性能,可满足USB充电器的要求!



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