美国对中国半导体限制的前沿领域GAA芯片制造技术被广泛认为是目前用于制造尖端半导体器件的FinFET技术的继任者。
GAA，也被称为栅极全能场效应晶体管（GAAFET），用一堆水平片取代了FinFET技术中使用的垂直片。这种GAA结构进一步减少了泄漏，同时增加了驱动电流，从而增强了晶体管密度，并提供了功率和性能优势。
在美国的盟国中，韩国尤其引人注目，因为三星代工在3nm制程节点上率先将GAA制造技术商业化。英特尔预计将在20A节点上实现GAA晶体管架构。台积电计划在2026年推出的2nm制程节点上采用GAA技术。
目前，三星电子和SK海力士与美国存储芯片企业美光共同生产的高端存储芯片与AI处理器配合使用，被认为是AI应用的关键。对GAA和HBM芯片的新限制可能会对韩国技术相关出口产生重大影响。
美国对中国公司实施的半导体技术出口限制主要影响了美国的芯片供应商，但总部位于荷兰的光刻专家ASML除外。现在，韩国可能首当其冲地受到这些对GAA和HBM技术的潜在限制。三星和SK海力士占据了近90%的HBM市场。
原文链接：
https://www.edn.com/what-gaa-and-hbm-restrictions-mean-for-south-korea/
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