三星电子已在其半导体研究所成功完成其突破性400层NAND技术的开发。三星于11月开始将这项先进技术转移到平泽P1厂的量产线上。这一重要里程碑使三星处于NAND闪存技术的前沿，因为它准备与SK海力士等行业对手竞争，后者已宣布量产321层NAND。
三星电子计划于2025年2月在美国举行的ISSCC（国际固态电路会议）2025上提供有关其1Tb容量400层三级单元（TLC）NAND的详细公告。这种先进NAND的量产预计将于明年下半年开始，尽管一些行业专家预测，如果加快这一进程，生产可能会在第二季度末开始。
除了400层NAND，三星电子明年还将增加其先进产品线的产量。该公司计划在平泽园区安装新的第9代（286层）生产设施，每月产能为3万~4万片晶圆。此外，三星西安工厂将继续将128层（V6）NAND生产线转换为236层（V8）产品工艺。
400层NAND的开发代表了NAND闪存技术的重大飞跃，该技术已从传统的平面（2D）NAND发展到3D NAND。该技术涉及垂直堆叠存储单元以提高存储密度和效率。三星为400层NAND引入“三重堆叠”技术，该技术涉及将存储单元堆叠成三层，标志着该领域的重大进步。
目前，三星电子在全球NAND闪存市场占有36.9%的主导市场份额。该公司为保持领导地位而做出的努力，正值SK海力士的激烈竞争。SK海力士于2023年在全球率先量产238层产品，最近还宣布开始量产321层NAND。
NAND闪存市场受到各种因素的影响，包括消费者需求、价格趋势以及人工智能（AI）和数据中心等数据密集型应用的兴起。由于全球AI热潮，数据中心用NAND的销量呈上升趋势。不过，128Gb多层单元（MLC）产品的固定交易价格在11月份下降29.8%，平均价格为2.16美元。TrendForce分析称，尽管今年第四季度NAND价格预计将下跌3%~8%，但企业级固态硬盘（SSD）预计将上涨高达5%。
三星电子在准备大规模生产400层NAND的同时，也致力于优化晶圆良率。目前，NAND研发阶段的良率仅为10%~20%。成功将该技术转移到生产线对于实现更高良率和满足市场需求至关重要。
