进入12月，兆驰半导体、高科华烨、烁轩半导体等企业陆续公示Micro LED专利，涉及MiP、巨量转移、外延片等技术。
▋ 高科华烨：一种量子点MicroMIP器件制备方法
据企查查消息，进入12月，江西兆驰半导体有限公司公布了四则Micro LED相关专利。具体如下：
“一种蓝光Micro-LED的外延片及其制备方法”
12月10日，该专利进入授权阶段。
本发明涉及半导体材料技术领域，公开了一种蓝光Micro-LED的外延片及其制备方法，外延片中多量子阱发光层包括依次层叠生长的第一浅蓝光多量子阱层，第二浅蓝光多量子阱层，第三蓝光多量子阱层和第四浅蓝光多量子阱层；第一浅蓝光多量子阱层为依次周期性交替生长的第一InGaN多量子阱层与第一多量子阱复合垒层的超晶格结构；第二浅蓝光多量子阱层为依次周期性交替生长的第二InGaN多量子阱层与第二多量子阱复合垒层的超晶格结构；第三蓝光多量子阱层为依次周期性交替生长的第三InGaN多量子阱层与Si掺GaN多量子垒层的超晶格结构；第四浅蓝光多量子阱层为依次周期性交替生长的第四InGaN多量子阱层与的超晶格结构。
实施本发明，可提高Micro-LED在低工作电流密度下的光效、良率。
“一种蓝光Micro-LED的外延结构及其制备方法”
12月10日，该专利进入授权阶段。
本发明涉及半导体材料的技术领域，公开了一种蓝光Micro-LED的外延结构及其制备方法，外延结构包括衬底，在所述衬底上依次层叠的缓冲层，N型半导体层，低温应力释放层，多量子阱发光层，电子阻挡层和P型半导体层，所述多量子阱发光层包括由下至上依次层叠生长的第一浅蓝光多量子阱子层，第二浅蓝光多量子阱子层，第三蓝光多量子阱子层和第四浅蓝光多量子阱子层，其中每层子层均为InGaN多量子阱层与多量子垒层的超晶格结构。
实施本发明，可降低生长InGaN量子阱时的应力，显著改善多量子阱发光层的质量，同时提高P型半导体层的空穴注入效率，从而提高Micro-LED芯片在低工作电流密度下的光效、良率等性能，适用于小尺寸、低电流以及低功率的蓝光Micro-LED。
“一种Micro-LED的外延结构及其制备方法”
12月3日，该专利进入授权阶段。
本发明涉及半导体材料的技术领域，公开了一种Micro-LED的外延结构及其制备方法，所述外延结构包括衬底，在所述衬底上依次层叠的缓冲层，未掺杂的GaN层，N型掺杂GaN层，插入层，多量子阱层，电子阻挡层，P型掺杂GaN层和接触层；其中，所述插入层包括于所述N型掺杂GaN层上依次设置的AlN层、图形化的GaSb层、Al金属层和InGaN层。
在N型掺杂GaN层和多量子阱层之间设置插入层，可以降低生长多量子阱层时的应力，并降低多量子阱层的位错密度，提高多量子阱层的晶体质量，从而提高MicroLED的内量子效率，降低工作电压，提升发光亮度。
“低电压Micro-LED外延片及其制备方法、Micro-LED”
12月3日，该专利进入审中公布阶段。
本发明公开了一种低电压MicroLED外延片及其制备方法、Micro-LED，涉及半导体光电器件领域。
低电压MicroLED外延片依次包括衬底、缓冲层、非掺杂GaN层、N型GaN层、多量子阱层、电子阻挡层、P型GaN层和P型接触层；其中，所述P型接触层包括依次层叠于所述P型GaN层上的多孔AlInN层、二维P型BGaN层、AlN粗化层、P型BInGaN纳米团簇层和P型AlInGaN粗化层；其中，所述多孔AlInN层通过H2刻蚀AlInN层制得，所述P型AlInGaN粗化层通过N2粗化P型AlInGaN层制得。实施本发明，可降低工作电压，且提升光提取效率，进而提升发光效率。
▋ 安徽烁轩半导体：一种面向Micro-LED显示的驱动方法及芯片
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