根据《朝鲜新闻》及《韩联社》综合报道，一位曾在三星电子任职的工程师因为涉嫌引诱三星半导体核心技术人员跳槽，并向一家中国企业泄露20纳米DRAM内存芯片技术，已被抓捕并送交检察机关处理。
报道指出，这位男子曾是三星电子的员工，被指控在2018年运营一家未经注册的人才中介公司，通过提供高额经济补偿，以至少2至3倍的薪资诱惑三星电子的核心技术人员跳槽，帮助中国“复制”动态随机存取内存（DRAM）工厂，并在2022年4月成功生产出半导体晶圆。这座DRAM工厂的建设和投产周期仅为1年3个月。一般来说，晶圆从测试到量产通常需要4至5年。
此外，这位男子所经营的人才中介公司还协助三星电子和海力士的关键半导体人才跳槽至一家由三星电子前董事总经理、海力士半导体前副总裁崔振锡创立的公司。崔振锡目前因涉嫌通过该公司向海外泄露30纳米以下的DRAM制造工艺（这是一项韩国国家关键技术，由三星电子独立研发）而被捕，同时还被指控窃取三星电子半导体工厂的蓝图并试图建立“三星电子克隆工厂”而被捕。
韩国警方指出，这些外流技术的经济价值高达4.3万亿韩元（约合30.4亿美元），若考虑到相关的经济效益，实际损失可能更加巨大。
除了这位前工程师外，还有两名以类似手法挖角韩国半导体人才的猎头公司代表和法人也被移送司法处理。据悉，这些猎头公司已经成功挖角了超过30名技术人员。
尽管韩国国家关键技术流失，但警方只能依据相对较轻的“劳动市场管理法”而非“产业技术保护法”来逮捕涉案嫌疑人。警方解释称，根据现行法律，“挖角”方式导致的技术外流并不属于“产业技术保护法”的惩处范围，因此有必要对相关法律进行修订，以严惩商业间谍行为。
据报道，包括这位前三星电子工程师在内，此次技术泄露案中共有21人被移送司法处理。
此外，成都高真创始人、三星电子前常务兼SK海力士（SK Hynix）前副社长崔珍奭等人也已被捕，他们涉嫌违反“产业技术保护法”及“防止不正当竞争及商业秘密保护法”。
这是韩国首次依据《就业保障法》调查并逮捕涉嫌技术泄露犯罪的经纪人。根据韩国《就业保障法》的规定，经营者在开展海外就业中介业务时，必须获得劳动部长的许可。
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