传SK海力士将采用台积电3nm生产HBM4

12月4日消息，据《韩国经济新闻》报道称，传闻韩国存储芯片大厂SK海力士(SK Hynix)应重要客户的要求，将于2025年下半以台积电3nm制程为客户生产定制化的第六代高频宽內存HBM4。

报道称，消息人士透露，SK海力士已决定与台积电合作，最快明年3月就会发布一款采用台积电3nm制程生产的基础裸片(base die)的垂直堆叠HBM4原型，而主要出货的客户是英伟达(NVIDIA)。

HBM3E及之前的HBM都是采用DRAM制程的基础裸片(Base Die)，但是HBM4则会将DRAM Base Die 改成Logic Base Die，以推动性能和能效进一步提升。具体来说，这个Logic Base die是连接AI加速器内部图形处理单元(GPU)和DRAM的必备组件，位于DRAM的底部，主要充当GPU和内存之间的一种控制器，并且这个Logic Base Die与之前的Base Die不同，它可以让客户自行设计，可以加入客户自己的IP，有利于HBM实现定制化，从而让数据处理更为高效。预计可以将功耗大幅降低至之前的30%。

根据现有的消息来看，SK海力士会将其HBM4的base die交由台积电3nm制程制造，有望相比之前的传闻的5nm制程带来20-30%的提升。而三星的HBM4的base die此前传闻将会采用4nm制程制造，这也意味着SK海力士的HBM4可能将会比三星更具优势。

不过，据爆料人士@Jukanlosreve 于11月3日通过社交平台X指出，SK海力士之所以改为采用台积电3nm制程来制造HBM4 Base Die ，是为了应对三星以4nm来生产HBM4 Base Die 的声明。结果，三星现在也考虑以3nm生产HBM4 Base Die ，甚至可能选用台积电的3nm制程。

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