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时常有小伙伴来问，控制器的过流点怎么选？
其实这个问题更多是偏向于硬件设计，尤其很多小伙伴欠缺项目经验，会对这个有所疑惑。
过流点是触发过流保护的门槛值，这个值如果选小了，那么在正常工作情况下容易误保护，或者没有充分利用控制器的硬件能力，有些浪费。
如果过流点选的偏大，那么有可能导致保护不及时，造成控制器损坏，炸机，逆变器开关元器件失效，主要是MOSFET/IGBT/SiC/GaN.
实际项目中，如何选取过流点呢？
以工业级变频器为例，400A的IGBT，没有并联使用。
实际使用过程中，逆变器输出到电机的额定线电流是有效值150~200A左右，幅值220~290A左右。
一般变频器会要求60s承受1.5倍过载，3s承受2倍过载。
所以过载的峰值电流会达到440~600A左右。
按照以往的经验，过流点会选在4倍额定电流附近，所以过流点大概是700A左右。
通过以上选型可以看到，要充分考虑到实际工况，不能在瞬态过载时误触发过流保护，保证正常的工况能运行。
在这个条件基础上，适当提高即可设置合理的过流保护触发点。
再说到低压控制器，比如24V/300W，线电流有效值大概12A，考虑到瞬态加速，最大Iq幅值限制在30A，那么瞬态相电流幅值会超过30A。
所以过流点在30A的基础上，需要放大，比如40A或者50A，根据实际测试，保证MOS不坏的前提下尽量不影响控制器工作。
重点需要注意的是：不论是相电流保护，还是直流电流保护，其实这两个电流的最大幅值的绝对值是一致的。后面的文章会考虑解释这个问题。
逆变器开关器件如何选取呢？
现在无论是MOSFET还是IGBT的选型，都有很多参考选型。
在经验设计的基础上，最终是通过实际测试来判定设计是否合理。
重点包括：
温升测试，温升直接决定了设计能否通过，器件可靠性是否有保障；
EMC测试，逆变器器件的开关速度会影响辐射，同时影响温升。
短路保护，不同的开关器件，过流保护承受的极限是不同的。
尤其需要注意的是，同样的功率，不同的工况下，开关器件选型会有较大差异。
比如24V/300W的机械臂，因为关节电机是密闭空间，极限环温高达60°C。发热大，散热难，所以一般会选取7mhom左右的MOS。
但是如果是24V/300W的风机水泵，是可以使用12mohm左右的MOSFET，因为散热条件比机械臂好很多。
哪怕是同样的内阻或者电流值，不同的封装，其散热能力，短路耐受能力也有较大差异。比如TOLL封装的SOA，过载，散热能力是明显好于PQFN-5X6封装，当然价格也贵一些。
尤其需要提醒大家的是，很多人喜欢以MOSFET的电流来评估其过载能力，其实这个数据并没有很大的参考性：
以上图为例，第一栏是保证壳温25°C条件下测试出的负载电流，第二栏是保证壳温是100°C条件下测试的负载电流。
上图数据的测试方法, 是把MOSFET放在一个很大的散热器上，尺寸远远超过实际产品可以承受的尺寸，同时可能还有强迫风冷，才能保证壳温固定在某温度。在这个情况下，不断加电流，只要壳温稳定，就标定出了当前工况下持续电流。
所以这种标出来的数据，是在散热工况远远好于实际工况的前提下测试的，参考性不足。
上图对应的MOS，实际使用，贴片封装，靠FR4散热，实际持续负载电流不会超过8A。
那么小伙伴问，实际应该看什么指标呢？
应该在壳温100°C条件下标注的电流，打折的情况下去选型，同时结合以往的设计经验，再经过温升等各项测试评估是否可行。
还要考虑封装，FR4还是铝基板，是否风冷，过载倍数等情况。
开关器件哪些因素影响过流点呢？
一个是标注的电流，比如脉冲式流过drain的电流，如下图，一般过流点不会超过这个电流：
MOSFET当前的结温，不同的结温下，同样的瞬态大电流，导致的最大结温是有区别的。
MOSFET的SOA:
不同的Vds下，不同的电流，耐受时间不一样。另外不同规格的器件，SOA范围是完全不同的。
过流时的工况，如果超出了SOA标注范围，导致器件失效，属于不合理的应用设计导致失效。
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