HBM（High Bandwidth Memory高带宽存储器）是一种新型的内存芯片，旨在解决传统内存带宽不足的问题。HBM通过使用先进的封装方法（如TSV硅通孔技术）垂直堆叠多个DRAM芯片，从而实现高带宽、大容量的内存解决方案。今天，我分享一个来自国内知名IP供应商芯耀辉的视频，科普HBM的技术原理并分析HBM为什么这么火？HBM技术的出现，可以说是存储领域的一次革命。它采用了一种独特的3D堆叠设计，将多层DRAM芯片垂直堆叠在一起，通过硅通孔（TSV）和微型凸点（uBump）连接在一起，形成一个存储堆栈。这种设计不仅提升了存储密度，也大幅增加了每个存储堆栈的容量和位宽。HBM的特点和优势
高带宽：HBM通过3D堆叠技术，显著提高了内存带宽，解决了传统DRAM带宽不足的问题。
大容量：在有限的物理空间内实现高容量存储，适合大数据和高性能计算需求。
低延迟：通过TSV技术连接多个DRAM芯片，减少了数据传输的延迟。
低功耗：HBM的设计使得其在高带宽的同时保持了较低的功耗。
HBM主要应用于高性能计算和大数据处理领域，特别是在AI服务器和GPU中。随着AI模型的兴起，对算力的需求急剧增加，HBM因其高带宽和大容量的特点，成为解决内存瓶颈的关键技术。例如，高端AI服务器GPU通常搭载HBM内存，以满足大规模训练的需求。HBM市场预计将持续增长，尤其是在AI驱动的高性能计算领域。根据TrendForce的预测，到2025年，HBM市场规模有望突破100亿美金。主要厂商如三星和SK海力士都在积极研发新一代HBM技术，如HBM4，以应对不断增长的市场需求。HBM对于人工智能高性能计算领域至关重要，因此美国政府试图想通过禁售HBM的方式来限制中国的人工智能发展，但是这样的限制只能加速国产HBM的发展。4、精雕细琢打造MCU，开辟属于自己的Cortex-M0+新赛道！5、2024北京车展是最失败的车展！（8万+阅读）6、86页PPT详解光刻机结构及工作原理（建议收藏）本信号由半导体领域资深媒体人张国斌亲自运营，粉丝多为半导体领域高管，本号关注全球半导体最新科技趋势信息和新兴技术应用，解读半导体产业最新动态，关注一下，让老张带你一起探索无限精彩的半导体世界！欢迎加我个人微信号号18676786761
