11月29日，据韩联社报道，日本电装公司将与富士电机共同投资约2100亿日元（约合人民币100.8亿），计划增加碳化硅衬底和芯片产量，以满足新能源汽车市场的需求。
文章进一步透露，此次合作中，电装公司将负责生产碳化硅衬底，富士电机将负责制造SiC功率器件，并扩大必要的生产设施，预计产能为31万片/年，计划从2027年5月开始供货。此外，日本经济产业省也将对该项目进行补贴，最高达700亿日元（约合人民币33.6亿）。
值得关注的是，电装公司与富士电机或将直接供应8英寸碳化硅：
据日经新闻网报道，富士电机于2023年12月宣布，将在2024～2026年度的3年内向半导体领域投资2000亿日元（约合人民币96亿），重点面向新能源汽车等领域的功率半导体应用，计划在日本国内工厂新建碳化硅功率半导体的生产线，并将在2027年以后开始生产、供应8英寸碳化硅功率半导体。
加入碳化硅大佬群，请加微信：hangjiashuo99
据“行家说三代半”此前报道，日本电装公司已经形成了从SiC 籽晶生长，到SiC 晶锭和外延生长、沟槽栅SiC MOSFET、功率模块以及电机控制器的全产业链关键技术闭环。
早在2023年，电装公司便对外宣布，他们的HTCVD已经可以量产8英寸SiC晶锭，且6吋SiC衬底的成本可以降低30％，8吋SiC衬底的成本可以实现减半，预计衬底片的产量是PVT的4倍左右。
根据《2024年碳化硅（SiC）产业调研白皮书》，电装于2023年采用HTCVD法生长出直径6英寸4H-SiC 晶体，生长厚度达到7.1mm，穿透位错和基底面位错的密度分别为1186个/cm2和211 个/cm2，更多研究成果将在《2024年碳化硅（SiC）产业调研白皮书》上发布，欢迎大家扫码了解。
PVT与HTCVD的对比 数据来源：2024年碳化硅（SiC）产业调研白皮书
值得注意的是，《2024年碳化硅（SiC）产业调研白皮书》将于今年12月发布，本次白皮书调研撰写得到了合盛新材料、芯聚能、安海半导体、三安半导体、烁科晶体、天岳先进、青禾晶元、同光股份、恒普技术、华卓精科、快克芯装备、泰坦未来（排名不分先后）等碳化硅产业链头部玩家的支持，将深入分析碳化硅产业的全球市场趋势、技术发展、应用领域以及面临的挑战和机遇，为行业内外的决策者、投资者和研究人员提供宝贵的参考信息。
转发，点赞，在看，安排一下
