美国HBM禁令，将于12月6日发布

芯极速 2024-11-27 11:43

据路透社报道，美国商务部工业与安全局（BIS）正积极筹备一项针对HBM（高宽带内存）的禁令，涵盖HBM2E、HBM3，HBM3E等尖端规格，预计将于12月6日发布，并将于2025年1月2日起正式施行。

当前，HBM市场呈现高度垄断的局面，主要由SK海力士、三星和美光这三家企业掌控。

其中，三星在中国大陆抢占了大部分的HBM市场份额，一旦美国HBM禁令正式实施，三星受冲击最大。

2023年，市场主要HBM代际是HBM2、HBM2E和HBM3，2023年下半年在英伟达H100和AMD MI300的推动下，HBM3渗透率提升。2024年HBM3E则成为主打，占比逾46%。

HBM需求主要集中在英伟达、AMD、谷歌等芯片大厂，其中英伟达是HBM市场的最大买家，据TrendForce的报告显示，预期英伟达2025年推出Blackwell Ultra、B200A等产品后，其所需HBM在全球占比将突破70%。

国内厂商受成本、科技、海外贸易政策等因素影响，需求较小，占比约6%-7%。主流的国产AI加速大都处于HBM2、HBM2E区间，比HBM3E版本落后两代，主要还是来源于三星和SK海力士。

有专家分析，一旦美国HBM禁令实施，短期内将对中国AI及高性能计算行业造成直接冲击，将迫使国内关联企业加速发展自主替代方案，但研发和量产压力巨大，本土企业还处于从0到1的艰难起步期。

国内分析人士指出，想要突破HBM技术门槛，国内企业首先需要生产出一流的DRAM，然后再向3D堆叠技术发展。先进DRAM的技术门槛和制造工艺要求极高，同时也依赖于EUV曝光机的支持。从DRAM向HBM转型，需要克服如TSV技术和堆叠键合工艺等多项关键技术的挑战。

国内部分企业虽有一定的DRAM和先进封装技术基础，但掌握的DRAM工艺制程明显落后于国际水平，且在DRAM上应用TSV、micro-bumping和堆叠键合等先进封装工艺的经验有所不足。

目前，国内存储器厂家正集中力量攻克HBM2技术，其中进展最快的是国产存储龙头长鑫存储。据外界报道，长鑫存储已与封测巨头通富微合作开发出HBM2样品，并向潜在客户进行了展示。

长江存储集团旗下的武汉新芯也在奋力追赶。在TSV技术、混合键合技术Hybrid Bonding、晶圆堆叠技术的基础上，武汉新芯于2024年2月启动建设HBM产线建设，目标月产能分别为12英寸晶圆3000片。

至于HBM封测领域，通富微、长电科技、盛合晶微等一线封装厂商拥有支持HBM生产的技术，例如TSV硅通孔和设备。

通富微是国内首家完成基于TSV技术的3D DRAM封装开发的封测厂，目前正在兴建南通通富工厂三期工程，并预计先进封装生产线建成后，将成为国内最先进的2.5D/3D先进封装研发及量产基地。

长电科技则专为HBM设计了XDFOI高密度扇出型封装解决方案，涵盖当前市场上的主流2.5D Chiplet方案并实现量产。

然而，国产AI算力想要求取重大突破，始终面临着三大难题：先进制程产能受限、CoWoS封装以及HBM技术难题。

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