下一阶段是到达晶片表面的Enchant 与被刻蚀物发生反应，进行刻蚀反应的阶段。不仅如此，还需要刻蚀反应副产物迅速脱离并排气。否则反应副产物会附着在表面，刻蚀反应无法进行。以刻蚀硅为例。作为硅的氯化物的四氯化硅和作为氟化物的四氯化氟的蒸气压，后者更高，所以如果用氟类气体刻蚀硅，反应副产物的脱离也会更快。这个思路也可以作为判断应该使用哪种刻蚀气体进行刻蚀的标准。
各向异性的定义可以用数学公式来表示。其关键是推进纵向（垂直）方向的刻蚀，抑制横向的刻蚀。也就是说，通过两种效果达成各向异性的形状。
一个是离子轰击的效果，这加速了被刻蚀物表面的自由基的反应促进了垂直方向的刻蚀。当然，离子自身的刻蚀反应也功不可没。该离子轰击可认为是鞘层电势的离子加速的效果。
另一个是侧壁保护效果，光刻胶溅射产生的碳，以及人为在刻蚀气体中添加的气体成分，可以形成侧壁保护膜。这样可以抑制横向刻蚀，各向异性形状就是依靠这两种方法形成的。
