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近日，京东方华灿光电宣布旗下GaN募投项目投产，并披露了其浙江义乌GaN功率器件产线的相关进展。
“行家说三代半”还汇总了国内其他氮化镓晶圆线的相关动态进展，详情请看：
华灿光电：
GaN募投项目已投产
11月22日，京东方华灿光电股份有限公司发布投资者关系活动记录公告。
京东方华灿光电表示，其珠海募投项目已于2024年11月投产。据“行家说三代半”此前报道，2023年12月，京东方华灿光电与横琴粤澳深度合作区举行了签约仪式，落户“京灿光电 (广东 )有限公司”，该公司定位为南方总部、国际人才中心和Micro LED&GaN芯片研发中心等。
此外，京东方华灿光电还透露了GaN HEMT产品方面的进展——
目前，京东方华灿光电针对自有设计外加工的GaN HEMT产品加速可靠性老化实验通过内部评估，表示应用端系统效率达到行业一流水平，产品已进入市场推广阶段；旗下义乌工厂氮化镓功率器件晶圆级全流程工艺也已经打通，晶圆级功能电性正常，2024年底进行封装级可靠性评估和小批量战略客户送样，预期2025年Q2进行大规模市场推广。
京东方华灿光电始创于2005年，自成立以来持续聚焦GaN在LED领域的技术研发，并于2020正式进入氮化镓基电力电子器件领域。目前，京东方华灿光电拥有张家港、义乌、玉溪、珠海四大生产基地。
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英诺赛科、能华、方正微等
盘点国内其他GaN晶圆线进展
“行家说三代半”汇总了国内多家半导体厂商在GaN晶圆产线方面的建设计划/进展：
2024年6月，英诺赛科拟香港上市，并在在招股书中透露了关于募资资金使用的初步规划：英诺赛科拟将50%的募资资金用于扩大8英寸氮化镓晶圆产能，计划从截至2023年12月31日的每月1万片晶圆扩大至未来5年每月7万片晶圆，同时购买相应的生产设备及招聘生产人员，以满足生产线运行需求。
2024年4月，能华半导体张家港制造中心（二期）项目在张家港经开区再制造基地正式开工建设，项目总投资6000万元，规划新建GaN外延片产线。项目投产后，将形成月产15000片6英寸GaN外延片的生产能力。
2024年1月，华润微表示，目前其氮化镓（GaN）晶圆线已实现稳定量产。
华润微于2022年5月收购第三代半导体厂商大连芯冠科技有限公司并将其更名为润新微电子，2022年9月成功发布硅基GaN 650V/900V系列化产品，适用于PC电源、电机驱动、照明电源、手机快充等。目前，华润微同时在6英寸和8英寸平台进行硅基GaN产品的研发，全面布局衬底材料、器件设计、制造和封装工艺。
三安光电拥有硅基氮化镓代工平台，月产能达2000片；2024年5月，三安光电还在投资者互动平台表示，公司已开发了应用于轻量化车载充电器等关键组件的车规级GaN芯片技术平台。
9月2日下午，芯联集成召开2024年半年度业绩说明会，宣布将增加GaN产品线，来满足新应用的需求。
2024年2月，新微半导体二期项目已开启资格预审，并在同月进行公开招标。该项目总投资高达30亿元，位于上海市临港新片区，主要建设电子通信广电-微电子产品项目工程，将新建多个厂房、仓库及其配套设施。
截止目前，新微半导体基于硅基氮化镓6吋/150mm晶圆的40V增强型（p-GaN）功率器件工艺平台开发完成，已正式发布量产。
2023年11月，誉鸿锦半导体二期产业园项目厂房举行了主体结构封顶仪式，该项目首条批量线预计于2024年底前建成，月产能为6-7万片。项目全部建成投产后，每月产能将达到25万片，届时将成为全球最大的GaN IDM工厂。
2023年3月，士兰微发布投资者关系活动记录表，公司在杭州建有一条4吋的 GaN 产线，月产能在6~7万片。厦门有一条4吋的GaN/GaAs的产线，月产能约7万片。
2022年5月，致能的徐州氮化镓生产线已经满线开工，可以提供2种衬底（硅和蓝宝石）的1200V氮化镓器件，器件成本优势明显，自主产线能够为客户提供更好的产能保障。
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