超结MOSFET的优势在于其具有高耐压和低电阻的特点。相较于普通高压VDMOS，超结MOSFET的导通电阻远小，适用于高能效和高功率密度的快速开关应用。此外，超结MOSFET的额定电压越高，导通电阻的下降越明显，使其在中低功率水平下的高速运行非常适合。充电器芯片U8621是一款恒压、恒功率、恒温离线型电流模式PW电源管理芯片，内置1.9Ω/630V的超结硅功率MOS。
充电器芯片U8621的启动电流低至10uA，启动电路的电阻值可以高达4M,这样使电源系统拥有更低的损耗；芯片静态电流低至500uA，使得电源系统设计者更加轻松应对能源之星六或者能效六级的能效标准。
充电器芯片U8621采用专用的抖频技术，在中心频率的±5%范围内随机选择工作频率，使得电源系统的电磁兼容性能得到极大的。U8621内置斜率补偿功能用来消除次谐波震荡。
充电器芯片U8621根据FB脚电平自动匹配工作模式，当FB电平低于1.1V时，芯片进入打嗝工作模式，此模式下芯片工作频率为25KHz，最小导通时间为1.2uS；当FB电平低于1.7V 时，芯片进入变频模式，此模式下芯片工作频率在25K-65K变动，驱动高电平时间由FB和CS电平控制；当FB电平大于3.7V时，芯片进入恒功率模式，此时芯片工作频率为65KHz，PWM占空比由对应的VOCP控制。
充电器芯片U8621具备恒功率输出模式，当FB脚电平大于3.7V以后，芯片PWM占空比由CS引脚电平对应的VOCP来控制，为保证在AC90V-264V输入范围内的恒功率性能，对VOCP值根据占空比进行补偿。
充电器芯片U8621具备一定条件的恒温模式，当芯片内部温度达到设定温度范围后，芯片内部自动启动恒温模式、并开始降低输出电流的模式来降低输出功率直至温度平衡，保证在极端情况下能不间断输出电力供应。
充电器芯片U8621具有全负载高效率、低空载损耗、低EMI干扰和高EMS抗干扰、极少外围应用元件等优点。U8621在一定条件下适用于输入电压AC90V-264V的输出功率为18W以内的离线式反激开关变换器，满足VI级能效标准。U8621采用SOP-8并采用单边漏极并联封装增加散热效果！
