本文研究了在150°C下,硅碳化物(SiC)平面和非对称沟槽MOSFETs在广泛的正负Eox应力范围内的栅氧可靠性。分析了在Eox应力下,两种器件的Vth(阈值电压)随应力时间的变化。解释了在SiO2中电子捕获和空穴捕获的过程,以及这些过程对Vth的影响。
根据SiC平面和沟槽MOSFETs在150°C下的Igss(漏电流)和氧化物击穿电压,计算了隧穿势垒高度和氧化物厚度。此外,讨论了在不同Eox水平下Igss随应力时间的变化,以确定影响正负栅电压下Igss的主要因素。进一步地,使用恒定电压TDDB测试,测量并比较了SiC平面和沟槽MOSFETs在不同栅偏压下的栅氧寿命。基于测试结果和E模型,预测了SiC MOSFETs在典型工作条件下的氧化物寿命。此外,还分析了导致两种器件氧化物寿命差异的因素。如需完整PDF文件,请扫码留下邮箱
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