插播：12月11-12日，华太电子、合盛新材料、安世半导体、三安半导体、士兰微、意法半导体、平湖实验室、罗姆、致领半导体、恒普技术、思锐智能、创锐光谱、快克芯装备、烁科晶体、瑞霏光电、华卓精科及高泰新材等企业将出席【行家说三代半年会】，带来近30场主题演讲，报名请点文末“阅读原文”。近期，国内外4个GaN项目传新动态，详情请看：
镓宏半导体：
氮化镓器件项目竣工
据“方正环保”官网披露，9月11日，江苏镓宏半导体有限公司（原名：徐州金沙江半导体有限公司）组织召开了徐州金沙江半导体有限公司年封测氮化镓电子器件8000万颗及氮化镓电子器件技术研发项目（一期工程）竣工环境保护验收会，并宣布通过了竣工环境保护验收。
根据公告，该项目投资总概算6亿元，建设地点位于徐州经济技术开发区徐海路99号，租赁品旺光电(徐州)有限公司已建成厂房，面积约17000平方米，主要设备有MOCVD(外延炉)、光刻机、切割机、电镀机、超声清洗机等，项目运行后年封测氮化镓半导体分立器件8000万颗。
项目分期建设，一期工程主要安装外延、光刻、刻蚀等设备，年产氮化镓电子器件4000 万颗（为此次验收工程）；项目于2022年5月开工建设，2024年3月建成并进行试运行。
“行家说三代半”了解到，该公司于2022年2月委托江苏方正环保集团有限公司编制项目环境影响报告表，并于同年4月取得了徐州经济技术开发区行政审批局批复；2023年7月，金沙江半导体在徐州经济技术开发区市场监督管理局记变更企业名称和营业执照，企业名称变更为“江苏镓宏半导体有限公司”。
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国宇电子：
GaN芯片项目落地扬州
据“扬州经开区发布”官微消息，扬州2024（北京）经济社会发展汇报会于11月12日举行。会议现场签约央企合作项目2个，总投资36亿元，其中包括一个GaN功率芯片项目。
据报道，该项目由中国电子科技集团与绿投集团国宇电子合作建设，总投资11亿元，其中一期项目投资5.8亿元，设备投资3亿元，计划利用现有国宇电子厂区内土地扩建分立器件功率芯片生产线，建设6英寸功率FRED芯片生产线，规划年产能48万片，达产后预计年开票10亿元，年净利润1.4亿元，纳税5000万元；项目二期规划生产IGBT、硅基GaN等高功率半导体芯片。
资料显示，国宇电子主要从事半导体器件芯片的研发生产。其主要产品有电源、节能灯、镇流器、电机驱动、变压器等用VDMOS场效应功率晶体管、肖特基二极管、快恢复二极管等产品，广泛应用于家电、绿色照明、计算机、汽车电子、网络通讯、工业控制等领域。
印度Agnit、DRDO：
建设GaN外延、器件项目
11月以来，印度媒体报道2个当地的GaN研发项目进展——
一家从印度科学研究所（Indian Institute of Science）分拆出来的公司——Agnit，已经建造了一条 GaN 试验生产线，6吋晶圆的峰值产能约为300片/月。
据悉，Agnit还于近日获得了约350万美元（约2500万人民币）的种子轮融资，用于推进4英寸GaN-on-SiC外延片和6英寸硅基 GaN 晶片的量产；目前，Agnit正在计划向印度芯片制造商供应 GaN 外延片。
此外，印度DRDO实验室也宣布成功开发出4英寸碳化硅衬底及150W的氮化镓高电子迁移率晶体管，印度正在逐步提升其在半导体领域的自主性。
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