在功率电子系统中，特别是随着氮化镓 ( GaN ) 和碳化硅 ( SiC ) 等宽带隙半导体器件的应用越来越多，栅极电阻的选择显得更为关键。一般来讲，栅极电阻的大小直接影响着器件的开关速度和功率损耗。不恰当的设计可能会导致更大的开关损耗，EMI 和振铃效应等噪声问题，因此在选型时需要仔细考量。
同时除了电阻值，在栅极电阻的选型时，还需要综合考虑更多因素，如脉冲功率、脉冲时间和温度、稳定性、寄生电感等，也需要在元件尺寸、热性能以及与功率模块集成的便利性上进行权衡。
① IGBR 电阻器采用背接触式设计，所以电阻器和导线总成只需要一根引线键合，而导线的长度越短，寄生电感越低，有利于减少电路中的噪声。
② 背接触结构具有优异的导热性，可更大限度减小器件与 PCB 之间的热梯度，带来更好的热性能；
③ IGBR 电阻器外形紧凑，0808 外形尺寸的 IGBR 功率可达 4 W，而相对于 2512 外形尺寸特殊薄膜表面贴装片式电阻的功率为 6 W；
④ 该电阻器的引线键合工艺和连接方法，与功率模块制造工艺相匹配，加之紧凑的外形，使其可以灵活、方便地集成到功率半导体模块中。
总之，IGBR 系列电阻器的电感低、体积小、支持引线键合，并与功率模块制造工艺相匹配，非常适合作为 IGBT 模块和 SiC MOSFET 功率模块中的栅极电阻，广泛应用于 LED 照明、可再生能源以及其他高功率系统。
IGBR 系列电阻器技术解读
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