11月12日，三菱电机宣布，将于11月14日开始交付碳化硅（SiC）金属氧化物半导体场效应晶体管 (MOSFET) 裸片样品，主要用于电动汽车、插电式混合动力汽车和其他电动汽车的驱动电机逆变器。
(左）用于xEV的SiC-MOSFET的晶片 （右）用于xEV的SiC-MOSFET裸片布局（样品）
据了解，三菱电机的首款标准规格 SiC-MOSFET 功率半导体芯片，能够应对 xEV 逆变器的多样化需求，并为这些汽车的日益普及做出贡献。新型SiC-MOSFET裸片结合了专有的芯片结构和制造技术，通过提高逆变器性能、延长行驶里程和提高 xEV 的能源效率为脱碳做出贡献。
此外，三菱电机的新型功率半导体芯片是一种专有的沟槽式SiC-MOSFET，与传统的平面式SiC-MOSFET相比，其功率损耗可降低约50%。得益于专有制造技术，例如抑制功率损耗和导通电阻波动的栅极氧化膜工艺，新芯片实现了长期稳定性，有助于提高逆变器的耐用性和 xEV 性能。
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今年以来，三菱电机在8吋SiC产线建设方面也有显著进展：
6月，三菱电机宣布位于日本熊本县新建的8英寸SiC工厂将提前开始运营。原计划于2026年4月开始运营的工厂，现在预计将在2025年11月开始运营，提前了大约5个月。预计2025年9月正式竣工。该新工厂共有六层，总建筑面积约4.2万平方米，将主要负责8英寸 SiC 晶圆的前端工艺。
在产能与销售目标方面，三菱电机目标是到2030财年将功率半导体业务中的SiC销售比例提高到30%以上（新工厂的SiC产品将通过与Nexperia的联盟扩大销售渠道）；三菱电机还将在全工序段引入自动输送系统，打造生产效率高的生产线，目标在2026财年将SiC产能提升5倍（与2022财年相比）。
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