根据IDC预测,到2024年底,全球内置GenAI功能的智能手机出货量将达2.342亿部,同比增长363.6%,占整体出货量的19%;到2028年,这一数字预计将增长至9.12亿部,2024年至2028年的年复合增长率将达到78.4%。这种快速增长反映了市场对智能化服务和用户体验升级的强烈需求。GenAI功能不仅提供更个性化和智能的服务,还对智能手机硬件提出了更高要求,包括高算力SoC和高速可靠的嵌入式存储器,以确保手机流畅运行。
近日,佰维存储推出了新一代高效能内存——LPDDR5X,产品采用了1bnm制程工艺,与上一代产品相比,数据传输速率提高33%至8533Mbps,功耗降低25%,容量为8GB、12GB、16GB(ES阶段),为旗舰智能手机等终端设备提供卓越的性能与节能优势。
01
速率提升33%,加速高性能移动设备AI应用
佰维LPDDR5X的数据传输速率高达8533Mbps,较上代产品提升33%。这一提升主要得益于LPDDR5X采用了更先进的时钟技术和电路设计,支持更高的时钟频率,从而实现更快的数据传输。同时,为了在更高的频率下保持信号的稳定性和可靠性,LPDDR5X引入了更先进的信号完整性和抗干扰技术。
此外,LPDDR5X通过降低电压摆幅和采用更高效的驱动器和接收器设计,提高了信号的驱动能力和接收灵敏度,从而支持更高的数据传输速率。LPDDR5X还优化了内部时序参数,降低了CAS Latency,减少了数据访问等待时间,并通过改进行激活时间和行预充电时间,提高了整体效率,确保在高频率下仍能保持稳定和高效的数据传输,助力高性能移动设备AI应用。
02
功耗降低25%,更高能效提升设备续航能力
佰维LPDDR5X采用了先进的1bnm制程工艺和创新的电路设计。产品通过降低辅助电源电压(VDD2),减少了整体功耗。产品还进一步优化了动态电压和频率调节技术(DVFS),可根据实际负载情况动态调整工作电压和频率,在低负载时降低电压和频率,从而显著减少功耗;在空闲时进入深度睡眠模式(Deep-sleep mode),大幅降低功耗,延长电池寿命。
此外,LPDDR5X引入了自适应刷新技术,可根据实际工作条件动态调整刷新周期。这使得内存可以在保持数据完整性的同时,减少不必要的刷新操作,从而降低功耗。这些技术改进共同确保了LPDDR5X在高性能移动设备和计算平台中的高效能和长续航能力。
03
先进测试能力加持,打造高品质与一致性
DRAM芯片产品的核心技术之一在于测试。佰维存储基于对半导体存储器的全维度深入理解,采用了行业领先的半导体测试机台Advantest T5503HS2,并结合自研的自动化测试设备,以及自研测试软件平台、核心测试算法,覆盖了从设计验证到量产测试的全过程。通过先进的测试技术和严格的品质控制流程,佰维存储能够有效识别和排除潜在的质量问题,确保每一颗LPDDR5X芯片在性能、可靠性和稳定性方面均符合严苛标准,打造产品的高品质和一致性。
/ 结语 /
备注:文章来源于佰维存储,版权归原作者所有,信息仅供参考,不代表此公众号观点,如有侵权请联系删除!
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