当前芯片设计和制造正向着大尺寸、高功耗、先进封装技术等方向发展，为满足市场需求，设计过程中需尽量优化性能、降低功耗并提高可靠性，会面临工艺、电压、温度（PVT）方面带来的挑战：先进制程芯片的工艺偏差、制造复杂性带来更多的不确定性；海量的晶体管数量和越来越小的晶体管尺寸或引起电压下降而影响信号、功耗和性能；散热也因晶体管数量激增和新型封装而挑战加剧。此外，芯片设计还面临多工作负载模式需求和功率不确定性。为应对这些挑战，掌握芯片在生命周期各个阶段的关键状态信息，确保芯片的高性能和高可靠性，采用内置PVT监控器已成为关键手段之一，它能实时监测和控制工艺、电压、温度，助力开发者及时调整工作模式及参数，护航芯片的稳定运行。
近日，锐成芯微基于8nm工艺的工艺、电压、温度传感IP（PVT Sensor IP，下同）完成硅测试，验证结果展现出了其优异的性能，未来将为客户在先进工艺平台的IP需求提供更多的、具有差异化的技术选择。
该款PVT Sensor IP，能够让客户可以轻松获取实时结温信息、电压信息和不同类型MOS的工艺角信息。得益于低温度系数和通过被监测器件失配的低灵敏度设计，客户可以在任何温度点来精准监测。另一方面，该IP不仅满足对SS/FF/TT工艺角检测功能需求，还可以精确地检测SF/FS工艺角。因此，该IP可以帮助客户实现自适应电压缩放(AVS)、动态电压缩放(DVS)、动态电压频率缩放(DVFS)等应用。凭借锐成芯微在传感类IP技术的多年积累和创新实践，基于8nm工艺平台实现了该IP的高集成度，简化了系统设计，节省芯片面积的同时，还具备先进的校准和补偿等技术以及低功耗、高精度和高分辨率、快速响应时间等优势。
随着人工智能、高性能计算、边缘智能、新能源汽车等应用趋势和市场的急速发展，对技术带动应用创新的需求促使着芯片厂商更多思考如何“满足需求”，直至“引领需求”，IP技术也将随着先进制程芯片的演进将不断持续创新。优化芯片生命周期各个阶段性能、提高芯片可靠性，PVT Sensor将是实现先进工艺芯片的关键IP之一。锐成芯微丰富的IP平台将持续帮助客户应对先进制程芯片设计的多方面挑战。
