前言
在<<学习笔记|AURIX™ TC3xx NVM是非易失性存储器>>一文我们详细介绍了TC3xx芯片的Memory种类及布局;在<
问题1:PFlash的ECC监控默认是否是开启的,以及是否可以关闭Pflash的ECC监控?
问题2:如何进行PFlash的ECC校验的故障注入?
问题3:DFlash是否有ECC校验?
问题4:如何监控DFlash的ECC错误?
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正文
PFlash的ECC监控默认是Enable的,且Flash的ECC监控是否使能的配置是芯片的一个测试功能,实际工程项目中必须Enable PFlash的ECC校验。
Flash配置寄存器3控制错误注入。如果一个CPU没有一个本地的PFlash Bank,那么与该CPU关联的FLASHCON3寄存器将没有任何功能。
DFlash也有ECC的校验,且默认是Enable的,但是DFlash的ECC Error不会触发SMU Alarm,只会产生Error Flags.
ECC Read Register必须存储最后一次DF0(包括CFS和UCB)和DF1(当DF1配置为非HSM_exclusive时)NVM读访问时通过DMU SRI从接口发起读时读到的ECC校验和。
通过DMU SRI从接口发起读操作时,ECC Status Register必须捕获在最后一次DF0(包括CFS和UCB)和DF1 (DF1配置为非HSM_exclusive) NVM读访问中检测到的ECC错误。
ECC写寄存器包含用于禁用PFLASH Banks和DF0的ECC编码的位。
当使用HF_ECCW.PECENCDIS = ' 11B '禁用PFLASH Bank的ECC编码时。
从DMU传输到Flash汇编缓冲区的下一个256位数据块的ECC代码取自HF_ECCW.WCODE.
使用HF_ECCW.Decencdis = ' 11b禁用DF0的ECC编码。
从DMU传输到Flash汇编缓冲区的下一个64位数据块的ECC代码取自HF_ECCW.WCODE.
如果HF_ECCW.PECENCDIS或HF_ECCW.DECENCDIS设置为“11B”,则“Write Burst”命令序列将导致不可预测的结果,不得使用。
注意1:在读取禁用ECC校正数据缓冲区的数据后,建议执行重置,以恢复ECC校正的正常操作。
注意2:软件应该只设置HF_ECCW.PECENCDIS或HF_ECCW.DECENCDIS中的一个到11B。
DF0保护配置用户模式控制寄存器在启动期间从UCB加载。
问题1:PFlash的ECC监控默认是否是开启的,以及是否可以关闭Pflash的ECC监控?
答:PFlash的ECC监控默认是否开启的,在实际工程项目中不能关闭Pflash的ECC监控。
问题2:如何进行PFlash的ECC校验的故障注入?
答:通过写FLASHCON3寄存器可以注入PFlash的ECC校验。
注意:FLASHCON3寄存器是SV,P,E保护的寄存器。写寄存器需要开启对应的权限。
问题3:DFlash是否有ECC校验?
答:有。
问题4:如何监控DFlash的ECC错误?
答:产生DFlash的ECC Error后不会产生Alarm, 所以无法使用SMU来监控DFLash的ECC Error,只能通过软件实时读取DFx(x=0, 1) ECC Status Register来监控DFlash的ECC Error.
End
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