产品｜Navitas推出首款采用GaN和SiC供电的8.5kWAI数据中心电源

碳化硅芯观察 2024-11-06 22:40

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Navitas 今日发布消息称，公司开发出了世界上第一款用于数据中心应用的 8.5 kW 电源装置 (PSU)。

该设计采用了三相 LLC 拓扑中的砷化镓 (GaN) 和碳化硅 (SiC) 晶体管，实现了 98% 的效率，为下一代 AI 和超大规模芯片提供动力。

54V 输出 PSU符合开放计算项目 (OCP) 和开放机架 v3 (ORv3) 规范，并使用650V GaNSafe和 650V Gen-3 快速 SiC MOSFET，配置为三相交错 PFC 和 LLC 拓扑，以确保最高的效率和性能，同时减少元件数量。

英飞凌今年早些时候展示了采用 GaN 和 SiC 的12kW 设计，凸显了这一设计趋势。

PSU 的 PFC 和 LLC 均采用三相拓扑（而当前 8kW PSU 使用的是两相拓扑），可实现业界最低的纹波电流和 EMI。此外，与最接近的竞争系统相比，PSU 将 GaN 和 SiC 器件的数量减少了 25%，从而降低了总体成本，并实现了 84.6 W/in3 的密度。

这是 Navitas 今年早些时候推出的采用 GaN 和 SiC 器件的 4.5kW 电源设计。

该电源的输入电压范围为 180 至 264 Vac，待机输出电压为 12 V，工作温度范围为 -5oC 至 45oC。8.5 kW 时的保持时间为 10 毫秒，通过延长器可达到 20 毫秒。

3 相 LLC 拓扑由高功率 GaNSafe 实现，该技术专为高功率应用（例如 AI 数据中心和工业市场）而设计。它集成了控制、驱动、传感和关键保护功能，可提供短路保护，最大延迟为 350ns，所有引脚均具有 2kV ESD 保护，消除了负栅极驱动，并具有可编程的斜率控制。所有这些功能均通过 4 引脚控制，因此可以将封装视为分立式 GaN FET，无需 VCC 引脚。

GsNsafe 设备适用于 1 kW 至 22 kW 的应用，TOLL 和 TOLT 封装的 650 V GaNSafe 的最大 RDS(on) 为 25 至 98 mΩ。

三相交错连续电流模式 (CCM) TP-PFC 功率因数校正前端由采用沟槽辅助平面技术的 Gen-3 快速 SiC MOSFET 供电。

Navitas 首席执行官兼联合创始人 Gene Sheridan 表示：“这种完整的 GaN 和 SiC 宽带隙解决方案使 Navitas 的 AI 电源路线图得以延续，该路线图实现了 8.5kW 功率，并计划在近期内将功率提高到 12kW 及更高水平。”“全球多达 95% 的数据中心无法满足运行 NVIDIA 最新 Blackwell GPU 的服务器的功率需求，这凸显了生态系统的准备不足。这种电源设计直接解决了 AI 和超大规模数据中心的这些挑战。”

这款8.5kW 电源设计将在 2024 年 Electronica 展会上首次展出（C 3 厅，129 号展位）

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