2024国际集成电路展览会暨研讨会（IIC Shenzhen）正于11月5日至6日在深圳福田会展中心举行。在此次展会上，Power Integrations（简称：PI）旗下的InnoSwitch3-EP 1250V IC荣获2024 ASPENCORE全球电子成就奖（WEAA）年度电源管理奖。PI公司营销副总裁Doug Bailey上台领奖，代表公司接受这一荣誉。
这也是PI继去年凭借900V InnoSwitch3-EP IC获得该奖项后，1250V版本再次获此殊荣，进一步彰显了PI在电源管理领域的技术领导力。
InnoSwitch3-EP 1250V IC是一款集成主开关、同步整流和FluxLink反馈的离线CV/CC QR反激开关IC芯片，采用先进的PowiGaN技术，能够在无散热器的情况下提供高达100W的输出功率，并在多路输出应用中表现出出色的交叉调整率性能。该芯片集成了多项功能，包括主开关、同步整流、FluxLink反馈、HIPOT隔离的反馈链路，确保在输入电压和负载变化的情况下，输出精度稳定在±3%以内。其开关损耗仅为同类硅器件的三分之一，空载功耗低于30毫瓦，使其在高输入电压应用中仍能实现高达93%的变换效率。
InnoSwitch3-EP 1250V IC提供了多种高级保护功能，并支持自动重启策略和高压隔离（4000VAC），符合多项国际安全标准。该芯片可简化反激电源设计，适用于各种高效、紧凑型电源转换器应用，涵盖家电、计算机、消费品、智能电网和工业电源等领域。通过将多个功能集成到单一IC中，为设计师提供了更高效、可靠的电源解决方案。
PI公司营销副总裁Doug Bailey先生同时也于11月5日出席了全球CEO峰会，并在会议期间发表了题为《碳化硅能否经受住超高压氮化镓的冲击？》的专题演讲。演讲中，Bailey先生深入分析了高压氮化镓在电力电子领域逐渐取代碳化硅的市场趋势，并探讨了这一转变对未来技术发展的影响。
氮化镓不仅性能超越碳化硅，更有制造成本优势，但其耐压性较低，应用上仅限于消费类产品和市电场合。PI公司正加速研发更高压的氮化镓技术。本次演讲从更高视角阐明氮化镓与碳化硅的性能对比，并提出未来的商业路线图。
同时，PI也于近期发布了业界首款1700V的GaN开关IC，这一新产品进一步展示了氮化镓在高压应用中的巨大潜力，也标志着PI在推动高压GaN技术的突破方面取得了重要进展。
全球电子成就奖 (World Electronics Achievement Awards) 旨在评选并表彰对推动全球电子产业创新做出杰出贡献的企业和管理者，对获奖公司以及个人来说，全球电子成就奖的获得是一项崇高的荣誉，各类奖项获得提名的企业、管理者及产品均为行业领先者，充分体现了其在业界的领先地位与不凡表现。
全球电子成就奖是由AspenCore全球资深产业分析师组成的评审委员会以及来自亚、美、欧洲的网站用户群共同评选出得奖者。
