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随着半导体产业的迅猛发展，金刚石因其优异的导热性能、超宽的禁带结构以及较高的载流子迁移率，逐渐成为业界备受瞩目的半导体材料之一。然而，金刚石的加工难度一直是制约其广泛应用的关键因素。
近日，大族半导体在金刚石切片领域取得了重要的技术突破，推出了QCBD激光切片技术及其相关设备，实现了金刚石高质量低损伤高效率激光切片。这一成果标志着激光切片技术在金刚石材料加工中取得重要进展，填补了国内在该领域的技术空白。
具体来看，金刚石的激光切片技术是一种先进的非接触性加工方式，利用激光在材料内部进行精确控制加工，从而实现材料的分离。通过对激光能量的精确调控与光束形态的调制，大族半导体克服了金刚石解理面{111}与切片方向{100}之间较大角度带来的加工难题，实现了晶锭的高精度、低损伤剥离。根据大族半导体QCB研究实验室研究数据显示，使用该技术，剥离后粗糙度Ra低至3μm以内，激光损伤层可大幅度降低至20μm。这项技术突破将大幅降低金刚石的加工成本，推动其在电子、光学等高端领域的广泛应用。
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与传统的机械加工方法相比，激光切片技术具有显著的优势。首先，它是一种非接触性加工方式，避免了机械应力对晶锭的损伤，减少了碎裂和微裂纹的风险。其次，激光切片技术能够实现极高的加工精度和质量，特别适用于金刚石这种硬度高、脆性大的材料。此外，QCBD激光切片工艺还大大减少了材料的浪费，提高了材料的利用率以及加工效率。
目前在商业应用方面，金刚石激光切片设备尚处于初期研发阶段。大族半导体的QCBD激光切片技术无疑是为金刚石的加工带来了创新突破。这一技术的突破，不仅显著加速了生产流程，将生产效率推向新高，而且精细入微的工艺确保了产品质量的飞跃式提升，同时，通过优化生产流程，有效降低了制造成本，展现出了极为广阔的市场应用前景。
此外，“行家说功率半导体与新能源”了解到，大族半导体QCB激光切片技术已成功应用于8英寸SiC衬底量产，同时，形成具有自主知识产权的新一代激光切片关键技术及装备，助力8英寸SiC衬底降本增效，推动国产SiC行业的进一步发展。
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