近日，易美新创和兆驰半导体相继申请Mini/Micro LED相关专利，京东方晶芯科技COB显示产品扩产项目开启公开招标。
易美新创申请实现 RGB 独立控制的 Mini-LED 背光板专利
11 月 4 日消息，国家知识产权局信息显示，北京易美新创科技有限公司申请一项名为“一种实现 RGB 独立控制的有源矩阵驱动 Mini-LED 背光板”的专利，公开号 CN 118888545 A，申请日期为 2024 年 8 月。
专利摘要显示，本申请涉及电视或显示器背光设备技术领域，提供一种实现 RGB 独立控制的有源矩阵驱动 Mini‑LED 背光板，包括基板和设置在所述基板上呈阵列排布的多个 Mini‑LED 单元，所述Mini‑LED 单元包括：RGB 发光单元，包括间隔设置在所述基板上的第一蓝光芯片、第二蓝光芯片、第三蓝光芯片，所述第二蓝光芯片的出光方向上设有绿光转换层；所述第三蓝光芯片的出光方向上设有红光转换层；有源驱动单元，设置在所述基板上并电连接于所述 RGB 发光单元，用于独立调节所述第一蓝光芯片、第二蓝光芯片和第三蓝光芯片的亮度。RGB 发光单元的三个芯片均采用蓝光芯片连接驱动单元，三个芯片随着温度、电流、电压变化的亮度变化保持一致能够大大降低出现颜色偏移的情况发光稳定性更高。
兆驰半导体申请 Micro-LED的外延结构及其制备方法专利
10 月 29 日消息，国家知识产权局信息显示，江西兆驰半导体有限公司申请一项名为“一种 Micro-LED 的外延结构及其制备方法”的专利，公开号 CN 118825159 A，申请日期为 2024 年 9 月。
专利摘要显示，本发明涉及半导体材料的技术领域，公开了一种 Micro‑LED 的外延结构及其制备方法，所述外延结构包括衬底，在所述衬底上依次层叠的缓冲层，未掺杂的 GaN 层，N 型掺杂 GaN 层插入层多量子阱层，电子阻挡层，P 型掺杂 GaN 层和接触层；其中，所述插入层包括于所述 N 型掺杂 GaN 层上依次设置的 AlN 层、图形化的 GaSb 层、Al 金属层和 InGaN 层。在 N 型掺杂 GaN 层和多量子阱层之间设置插入层，可以降低生长多量子阱层时的应力，并降低多量子阱层的位错密度，提高多量子阱层的晶体质量，从而提高 Micro‑LED 的内量子效率，降低工作电压，提升发光亮度。
公司回答表示，尊敬的投资者，您好！在集成电路方面，公司已推出MLED ASIC专用控制芯片、高速接口芯片等，未来将继续与诺瓦核心设备、核心算法一道，共同推动MLED显示标准化制造、规模化应用，助推MLED产业化进程加速。
瑞森显示MLED新型显示模组芯片制造项目投产
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