据财联社消息，英飞凌10月29日宣布推出全球最薄硅功率晶圆，成为首家掌握20μm超薄功率半导体晶圆处理和加工技术的公司。晶圆直径为30mm，厚度20μm仅为头发丝的四分之一，是目前最先进的40-60μm晶圆厚度的一半。该技术已获得认可，并被应用于英飞凌的集成智能功率级（直流-直流转换器）中，且已交付给首批客户。
这项创新将显著提高AI数据中心以及消费电子、电机控制和计算应用的电源转换解决方案的能效、功率密度和可靠性。与基于传统硅片的解决方案相比，将晶圆的厚度减半可将晶圆的衬底电阻降低50%，将电源系统的功率损耗降低15%以上。对于高端 AI服务器应用，更高的电流水平推动了不断增长的能源需求，这在电源转换中尤为重要：此时必须将电压从230V降低到1.8V以下的处理器电压。超薄晶圆技术推动了垂直供电设计，该设计基于垂直沟槽MOSFET技术，允许与AI芯片处理器非常紧密地连接，从而降低功率损耗并提高整体效率。
该技术已通过认证并应用于英飞凌的集成智能功率级（DC-DC 转换器），该组件已交付给首批客户。它突显了公司在半导体制造领域的创新领导地位，因为公司拥有与 20 微米晶圆技术相关的强大专利组合。随着目前超薄晶圆技术的加速发展，英飞凌预计在未来三到四年内，低压功率转换器将取代现有的传统晶圆技术。
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Carbontech 2024 W1馆部分参展企业：
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