近日，三星电子近日公布了2024年第三季度营业利润为9.1万亿韩元，低于市场预期；同时也比上一季度的10.44万亿韩元下降12.8%。对此，三星解释说：“在存储器业务方面，尽管服务器/HBM存储器的需求稳健，但由于一些移动芯片客户的库存调整、中国存储器制造商传统产品供应增加，以及一次性支出和汇率影响，DS部门业绩逐季下滑。”
也就是说，中国存储芯片厂商的崛起把三星的利润打下来了。综合各方消息，飙叔认为国产存储芯片的转折点要到了，为何这么说呢？
一、16.1%，长鑫存储即将挤进前三
根据韩国半导体行业信息，中国最大的存储芯片公司长鑫存储2025年第四季度晶圆产能份额预测为16.1%，较今年第四季度增长6个百分点。
同时，自2020年以来，长鑫存储的DRAM产能就在高速增长。根据野村证券的数据，长鑫存储2022年时才7万片晶圆每月，但2023年时达到12万片，今年年底将增至20万片，明年将增至30万片，接近50%的增长率。
而从全球的市场份额来看，2024年一季度时，长鑫代表的中国DRAM份额才10.1%左右，但已经是全球第四名了，前三名分别是三星电子、SK海力士、美光。
可以预见的是，长鑫的产能还会继续高速扩充，到2025年末时，有望达到16.1%左右的份额，而美国美光则会降至17.1%。也就是说，长鑫存储即将追上全球排名第三的美国美光17.1%的市场份额；这也意味着长鑫存储将打破三星电子、SK海力士和美光垄断全球存储芯片市场的格局。
二、长鑫存储技术追上主流
与此同时，长鑫存储在技术上也在快速提升，长鑫存储2023年19纳米约占产量的90%，但在一年内通过快速工艺转型将其提高到目前的17纳米，并宣布明年量产16纳米。这与完成第六代10纳米级开发的三星电子和SK海力士相比，虽然还存在3代左右的差距；但技术水平已经逐步拉近，DRAM存储产品性能已经基本达到市场主流水平。
在HBM存储芯片上，据内部消息长鑫存储已经取得决定性的突破，但由于官方没有公开，暂时无法透露更多细节。
长鑫存储今年早些时候宣布开发采用全环绕栅极（GAA）设计的下一代3纳米级DRAM。三星电子是唯一一家将GAA商业化的公司，该技术被认为是克服晶体管性能下降的“游戏规则改变者”。
三、长江存储设备基本实现国产化
我们半导体设备是芯片生产过程中不可或缺的存在，半导体设备基本被美、荷兰、韩、日等少数几个国家垄断，也是国产芯片被“卡脖子”最厉害的环节。
作为国产NAND存储芯片的龙头——长江存储，其于2022年底将232层3D NAND商业化，并与三星和SK海力士同期成功实现200层规模生产。但后由于被列入“实体清单”，相关生产设备无法装配和使用，致使短时间产能暴跌。
根据10月8日，韩国媒体《朝鲜日报》消息：中国存储半导体公司长江存储利用本国企业的半导体设备，正在快速追赶三星电子、SK海力士等顶尖企业的NAND闪存技术。
另根据分析机构TechInsights的消息：“长江存储仍需使用ASML、Lam Research等海外公司的部分产品，但国产设备占很大一部分。”
同时，长江存储自有的“X-Stacking 4.0”技术，通过堆叠NAND闪存来提高容量和性能，已经达到了可以与业界最好的公司竞争的水平。
也就是说，长江存储不仅在技术水平逐步赶上全球主流水平，同时在生产设备上也正逐步实现完全国产化。
因此，随着国产半导体产业的不断成长，以及国产存储芯片厂商的不断进步，在技术水平上正在一步步逼近全球先进水平；也正在逐步蚕食三星、SK海力士等韩系厂商存储芯片的市场。同时，由于国产半导体设备技术能力的提升，除极个别先进光刻设备，如ASML光刻机之外，国产半导体设备已基本可以满足国产存储芯片厂商的需求；这意味着，从技术、市场以及设备上，国产存储芯片正在迎来转折时刻。
