作者 | 宋子乔
方案提出,加快开展光芯片关键材料研发攻关。大力支持硅光材料、化合物半导体、薄膜铌酸锂、氧化镓薄膜、电光聚合物、柔性基底材料、超表面材料、光学传感材料、电光拓扑相变材料、光刻胶、石英晶体等光芯片关键材料研发制造; 推进光芯片关键装备研发制造。大力推动刻蚀机、键合机、外延生长设备及光矢量参数网络测试仪等光芯片关键装备研发和国产化替代等。
需求端:光模块续期持续增加,带动芯片需求量递增。根据YOLE的数据,2029年,光模块市场整体将会达到224亿,2023-2029年CAGR达高达12.76%,其中,2024年在数通细分领域,AI驱动的光模块市场将出现同比45%的增长。通常情况下,一个800G光模块需要用到8个100G EML芯片,在此前提下,光模块需求放量将推动光电芯片需求量成倍增长。 供给端:预计芯片厂商的产能扩张节奏较为缓慢。目前光电芯片主要由日、美芯片厂商供应,目前海外光电芯片供应商扩产进度缓慢,主要原因在于新的产线建设周期较长,需要投入大量资金、人力、设备等资源,此外光芯片主要采用IDM模式生产,扩产节奏慢于电芯片。
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