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近日，一家GaN企业宣布了其在高压氮化镓功率器件领域的突破，电压等级达3300V——
10月18日，据“泰克科技”官微消息，近日，远山半导体发布了新一代高压氮化镓功率器件，并送往泰克科技进行了测试。
目前，远山半导体的产品线包括700V、1200V、1700V、3300V等多种规格的蓝宝石基氮化镓功率器件，这些器件采用了特有的极化超级结（PSJ）技术，提升了额定工作电压和工作电流至1200V/20A，主要应用于高功率PD快充、车载充电器、双向DC-DC、微型逆变器、便携储能、V2G等领域。
泰克科技测试结果显示，远山半导体氮化镓功率器件展现了良好的性能，包括高击穿电压、低阈值电压、低静态导通电阻等。在动态开关测试中，即使在高压条件下，器件也表现出了极高的开关速度，并且克服了电流崩塌现象。
总的来说，远山半导体的氮化镓功率器件在高电压大电流条件下表现出色，打破了传统氮化镓器件额定电压650V的限制。
传统氮化镓功率器件在高压条件下开关测试容易出现的电流崩塌现象 来源：泰克科技
“行家说三代半”了解到，远山半导体成立于 2017 年 10月 ，由公信投资管理有限公司、日本 PowDec 株式会社共同出资设立。该公司以独有的4英寸蓝宝石基氮化镓外延生长技术为基础，生产 650V~6500V 等多种规格的氮化镓功率半导体外延晶圆与功率器件。
其官微消息曾披露，他们已推出了单片耐压高达6500V，电流范围在5-30A内的GaN产品，外延生长时间仅需2-3小时，良品率接近100%，且成本大幅低于市场平均水平。
项目方面，远山半导体于2022年末规划新建项目，预计总投资15亿元，新增设备包括15台MOCVD设备、3条规模化芯片生产线和全套封装检测设备。当时远山半导体正寻求政府产业基金入股母公司，并希望项目公司能落户当地，同时寻求人才、厂房、设备补贴，并规划用地100亩。
合作方面，2024年4月，远山半导体与丰田合成株式会社在日本名古屋签订了合作协议，正式建立了战略伙伴关系。这一合作标志着双方将在GaN技术、产品、市场等方面展开实质性的业务合作，共同探索共赢发展的新路径。
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