市场调研机构集邦科技看好HBM长期发展，预期HBM3e明年占整体HBM比重可望逼近9成水准，将推升HBM产品平均售价扬升18%，HBM营收将达467亿美元，年增156%。
产业分析师王豫琪表示，英伟达带动HBM需求成长，随着供应商积极扩产，HBM后市展望呈现两极化，供应商依然看好市况热络，持续积极扩产，不过另有市场忧心可能供应于求。王豫琪说，目前8层HBM3e产品已开始量产，明年可望推进至12层HBM3e，2025年HBM市场是否会供过于求，应观察12层HBM3e产品良率提升情况而定，明年上半年情况将趋于明朗。
王豫琪表示，今年HBM产品平均售价上扬8%，营收将达182亿美元，年增320%，占DRAM比重约20%。此外，明年HBM营收将达467亿美元，较今年再增加156%。
同时预计2024年第四季度通用DRAM的价格将停滞不前。由于通用产品的低迷和进入HBM市场的延迟，三星电子第三季度的盈利受到冲击。许多专家表示，这家韩国半导体巨头必须认真地向人工智能（AI）芯片巨头英伟达供应HBM，才能从低迷中恢复过来。
根据市场研究公司TrendForce的预测，今年第四季度通用DRAM的价格预计将比上一季度上涨0%~5%，但随着HBM在DRAM市场所占份额的上升，包括HBM在内的所有DRAM的平均价格预计将比上一季度上涨8%~13%。
第三季度通用DRAM价格的增长率为8%~13%，但预计第四季度将停滞不前，原因是经济衰退导致消费需求放缓，以及中国存储器制造商的供应增加。存储制造商扩大HBM生产将导致通用内存供应量下降，这将成为价格上涨的一个因素，但不足以抵消需求的低迷。
