直击SEMiBAY：21家三代半企业产品/技术一览

原创化合物半导体市场 2024-10-17 18:32

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10月16日，为期三天的首届SEMiBAY湾芯展——湾区半导体产业生态博览会在深圳会展中心（福田）盛大开幕。首届SEMiBAY湾芯展打造了晶圆制造、封装测试、化合物半导体、汽车半导体、EDA/IP与设计服务、零部件等6大主题展区，覆盖半导体全产业链环节以及市场热点领域，全方位展示行业前沿技术、创新成果、最新产品与解决方案以及市场应用。

集邦化合物半导体走访发现，首届SEMiBAY湾芯展汇集了天科合达、天岳先进、南砂晶圆、天域半导体、瀚天天成等国内碳化硅材料（衬底/外延）领域头部厂商，方正微电子、华润微电子、至信微电子等碳化硅器件环节知名厂商，以及晶盛机电、纳设智能、优睿谱、北方华创、中微公司、卓兴半导体、快克芯装备等碳化硅设备细分赛道重量级玩家。

上述各大厂商分别展示了在第三代半导体碳化硅、氮化镓材料、器件、设备等各个细分领域的最新技术与产品，将共同推动第三代半导体产业蓬勃发展。在展会现场，集邦化合物半导体收集到20多家三代半厂商展品信息，汇总如下：

材料领域，天科合达、天岳先进、南砂晶圆、天域半导体、瀚天天成、中环领先、江丰电子等厂商重点展示了6/8英寸碳化硅衬底及外延片，先导集团还展示了砷化镓、磷化铟衬底及外延片。

天科合达

首届SEMiBAY湾芯展，天科合达展示了碳化硅晶锭、6/8英寸碳化硅衬底、6/8英寸碳化硅外延片等系列产品，显示其正在全面布局碳化硅衬底及外延领域。

目前，天科合达8英寸导电型碳化硅衬底已实现批量供应，拥有零微管密度控制技术、低位错密度控制技术、低层错密度控制技术、电阻率均匀性控制技术、低应力及面型控制技术等多项技术优势。其碳化硅外延片BPD转化效率＞99%，表面缺陷＜0.2个/cm²。

天岳先进

本届SEMiBAY湾芯展，天岳先进带来了6英寸热沉碳化硅衬底、6英寸P型碳化硅衬底、6英寸碳化硅基异质符合衬底、6/8英寸导电型碳化硅衬底、6/8英寸高纯半绝缘碳化硅衬底等各类产品。

其中，天岳先进6/8英寸导电型碳化硅衬底片已大规模应用于新能源汽车主驱逆变器和车载充电系统，并得到充分验证，能够满足车规级功率器件性能需求。

天岳先进已实现了近“零TSD”和低BPD密度的8英寸导电型4H-SiC单晶衬底制备，有效提升晶圆制备利用率，产品满足芯片最高安全需求，保证了下游晶圆制备产能、良率和稳定性。

南砂晶圆

本届SEMiBAY湾芯展，南砂晶圆展示了6/8英寸导电型碳化硅晶锭和6/8英寸导电型碳化硅衬底片。

今年6月22日，南砂晶圆8英寸碳化硅北方基地项目宣布正式投产。当天，南砂晶圆董事长王垚浩在受访时表示，碳化硅进入8英寸时代比预想的要早、要快。今后三年，南砂晶圆投资扩产的重中之重将放在济南北方基地项目上，大幅提升8英寸碳化硅衬底产能。

中环领先

作为光伏头部厂商之一，中环领先在本届SEMiBAY湾芯展上展示了6/8英寸碳化硅外延片、6/8英寸氮化镓外延片。

近年来，通威集团、合盛硅业、弘元绿能、高测股份、捷佳伟创、连城数控、迈为股份、奥特维等主流光伏厂商均积极拓展碳化硅相关业务。

天域半导体

本届SEMiBAY湾芯展，天域半导体重点展示了6/8英寸碳化硅外延片。

天域于2021年开始了8英寸碳化硅外延的技术储备，并于2023年7月启动8英寸碳化硅外延产品小批量送样。其超过千片的量产数据表明，8英碳化硅外延产品与6英寸碳化硅外延产品水平相当。

瀚天天成

本届SEMiBAY湾芯展，瀚天天成展示了8英寸碳化硅外延片。作为大中华区首家发布并量产8英寸碳化硅外延的厂商，瀚天天成实现了超过12个月连续稳定批量交付。

瀚天天成拥有片间浓、厚度高一致性控制技术、片内厚度高精准控制技术(所有点容差)、片内浓度高精准控制技术(所有点容差)、高BPD转化率外延生长技术、大管芯高良率外延生长技术等技术优势。

江丰电子

本届SEMiBAY湾芯展，江丰电子展示了6/8英寸碳化硅外延片。

目前，江丰电子正在通过其控股子公司晶丰芯驰全面布局碳化硅外延领域，碳化硅外延片产品已经得到多家客户认可。

先导集团

本届SEMiBAY湾芯展，先导集团展示了4/6英寸砷化镓衬底、6英寸砷化镓外延片、2/4英寸磷化铟衬底、4英寸磷化铟外延片等产品。

目前，先导集团可提供使用VGF技术生长的2-6英寸的砷化镓衬底，包括半绝缘砷化镓衬底(无掺杂)和半导体砷化镓衬底(掺Si或掺Zn)，以及用于VCSEL和RF应用的低位错砷化镓衬底。亦可根据客户需求，定制非标厚度和晶向的砷化镓衬底。

同时，先导集团可提供使用2-4英寸的磷化铟衬底，包括半绝缘磷化铟衬底（掺Fe）和半导体磷化铟衬底（掺Si或掺Zn），以及用于特定用途的低位错磷化铟衬底。亦可根据客户需求，定制非标厚度和晶向的磷化铟衬底。

器件领域，方正微电子、华润微电子、至信微电子、基本半导体等厂商重点展示了车用碳化硅MOSFET和模块，显示了碳化硅加速“上车”趋势。

方正微电子

本届SEMiBAY湾芯展，方正微电子展示了碳化硅MOSFET、碳化硅车规模组以及氮化镓HEMT等丰富多样的产品。

在SEMiBAY湾芯展开幕式上，方正微电子发布了车规/工规碳化硅MOSFET 1200V全系产品，覆盖了新能源汽车应用的全场景。

其中，1200V 16m/18m/20mΩ应用于主驱逆变控制器，1200V 35m / 60m / 85mΩ应用于OBC，1200V60m / 85mΩ应用于DC / DC，1200V 60m / 85mΩ应用于空调压缩机，1200V 16m / 20m / 35m / 60mΩ应用于充电桩等场景。目前，方正微电子车规1200V碳化硅MOSFET产品已经规模应用，特别是已在新能源汽车主驱控制器上规模上车。

华润微电子

本届SEMiBAY湾芯展，华润微电子展示了碳化硅MOSFET模块产品，可广泛应用于电动压缩机、三相电机驱动器、电动汽车驱动器、电机和牵引驱动器、车载OBC等场景。

在氮化镓领域，2024年上半年，华润微完成8英寸中压（100-200V）增强型P-GaN工艺平台建设，并完成首颗150V/36A增强型器件样品的制备。

同时，华润微采用新型的GaN控制及驱动技术，开发原边、副边控制芯片，及GaN驱动芯片，推出基于GaN的高效能快充系统方案，最大输出功率可达65W。

至信微电子

本届SEMiBAY湾芯展，至信微电子展示了650V/900V/1200V/1700V等不同电压等级的碳化硅MOSFET以及模块产品。

至信微电子碳化硅MOSFET取得了AEC-Q101车规认证，并通过了HV-H3TRB测试。

其中，1200V碳化硅MOSFET技术平台取得了AEC-Q101车规认证，通过了960V HV-H3TRB测试，1200V、750V系列MOSFET已通过HTRB(175°C/100%BV)1000小时、HVH3TRB（高压）1000小时等多项可靠性考核。

基本半导体

本届SEMiBAY湾芯展，基本半导体重点展示了碳化硅SBD、MOSFET晶圆以及各类工业级/汽车级碳化硅MOSFET模块产品，其中，汽车级碳化硅模块可广泛应用于新能源乘用车、商用车等的电气驱动系统、燃料电池能源转换系统等场景，工业级碳化硅模块可应用于不间断电源UPS、高端工业电焊机等场景。

今年9月26日，广汽埃安旗下埃安AION RT开启全球预售，搭载了基本半导体750V全碳化硅功率模块。

设备领域，晶盛机电、纳设智能、优睿谱、北方华创、中微公司、卓兴半导体、快克芯装备、芯三代、思锐智能等厂商带来了碳化硅产线各个环节所需的相关设备，各有千秋。

晶盛机电

本届SEMiBAY湾芯展，晶盛机电展示了8英寸碳化硅晶锭和8英寸碳化硅晶圆产品。

作为一家半导体设备厂商，晶盛机电在碳化硅领域开发了6-8英寸碳化硅长晶设备、切片设备、减薄设备、抛光设备、外延设备等，实现了碳化硅外延设备的国产替代，并创新性推出双片式碳化硅外延设备，大幅提升外延产能。

纳设智能

本届SEMiBAY湾芯展，纳设智能展示了6英寸碳化硅外延设备以及单、双腔8英寸碳化硅外延设备。

其中，纳设智能6英寸碳化硅外延设备在2023年已批量出货给多家外延客户，也获得了批量验收。

在此基础上，纳设智能研发并交付了8英寸碳化硅外延设备，其具备独特的反应腔室设计、可独立控制的多区进气方式等特点，能提高外延片的均匀性，降低外延缺陷及生产中的耗材成本。目前，该设备已销售给多个客户。

优睿谱

本届SEMiBAY湾芯展，优睿谱展示了6/8寸碳化硅衬底位错、微管检测设备SICD200，6/8寸碳化硅衬底边缘、宏观缺陷检测设备SICE200，6/8寸硅/碳化硅晶圆衬底及同质外延片电阻率（载流子浓度）测量设备SICV200，6/8寸硅/碳化硅晶圆元素浓度与外延膜厚量测设备Eos200/Eos200+等产品。