韩国媒体报道，科技大厂三星陷入营运瓶颈，旗下包括半导体、家电、移动通信（MX）、显示器（SDC）在内的所有业务部门都在经历困难。其中，目前全球市占率排名第一的内存业务，即使在2024年第三季的景气上升周期当中也未能展现亮眼成绩，导致整个公司的营运状况不佳。
根据韩国媒体ZDNet Korea的报道，三星的存储器业务在高带宽存储器（HBM）的部分，市场对其表现严重失望。原因是三星一直没有积极在这领域的发展，直到 2024 年第三季开始，才针对 GPU 大厂英伟达进行 HBM3E 的认证，期望打入供应链当中。不过，当前8层堆栈的产品尚未通过认证，12层堆叠的产品则极有可能延后到2025年第二或第三季之后才有机会供应。
至于，三星HBM没有积极发展有其复杂原因。其中，专家指出，三星HBM的问题根本上来说是核心芯片DRAM的问题。由于HBM结构是将多个DRAM垂直堆栈并连接在一起，因此DRAM的性能不可避免的会与HBM的性能直接相关。因此，从这个角度来看，三星供应HBM使用的DRAM，也就是1a制程技术的第四代DRAM产品技术上出了问题。
报道解释了10纳米等级制程的DRAM产品，分为第一代的1x制程、第二代的1y制程、第三代的1z制程、第四代的1a制程、以及当前主流的第五代1b制程。 其中，第四代的1a制程DRAM其线宽约为14纳米，三星是在2021年下半年开始量产该款DRAM。 只是，尽管三星量产第四代的1a制程DRAM的时间早于竞争对手，而且其中采用了EUV光刻技术以提高产能，并提升竞争力。 但是这样的做法却未让三星在生产1a制程DRAM的竞争力上提升，反而是因为使用EUV光刻技术的难度较高，让三星的1a制程DRAM生产成本迟迟无法下降。
报道指出，由于三星的1a制程DRAM设计本身并不完美。尤其是应用在服务器上的产品开发受挫，这使得整体应用的时机较竞争对手落后。所以，相较于三星，SK 海力士在 2023 年一月就让旗下的 1a 制程 DRAM 的 DDR5 服务器产品率先获得英特尔认证。也因为1a制程DRAM的性能障碍情况，使得三星的HBM3E迟迟无法通过英伟达的认证而大量供应。
报道强调，基于以上的情况，不久前三星在韩国平泽产线中对提供英伟达认证的8层堆叠HBM3E产品进行了全面的清查。相较于英伟达认证的测试，三星的 8 层堆叠 HBM3E 产品没有出现任何问题，三星的自行检视则是查出其数据处理速度低于其他产品的情况。报告指出，三星的8层堆叠HBM3E产品在数据处理速度方面，较SK海力士和美光的产品下降约10%左右。
而对于这样的测试检测结果，三星正在考虑采取新的做法，那就是将部分充新设计1a制程DRAM，以期在未来恢复服务器DRAM和HBM产品的根本竞争力。对此，一位市场人士表示，正在考虑其存储器策略的三星，正在准备重新设计其1a制程DRAM的方式。不过，至今尚未做出最终决定。然而，一旦做出这样大胆的决定，三星可能必须承受各种压力所带来的影响。因此，后续值得持续观察。
（适用于：高速互联、高速芯片、数据中心、高速背板、光模块、光通信）
