10亿元氮化镓半导体激光器项目通线试产

MEMS 2024-10-13 00:01 634浏览 0评论 0点赞

汽车用卸负载电阻低价方案 超低功耗CW32L083系列

近日，武汉鑫威源电子科技有限公司（以下简称“武汉鑫威源”）发布消息称，公司在高性能氮化镓半导体激光器芯片方面取得重大技术突破，同时氮化镓半导体激光器芯片产线顺利完成通线试产。

据公开消息显示，武汉鑫威源是一家专注于氮化镓半导体激光器芯片的设计、开发与制造的高新技术企业，致力于推动国产氮化镓半导体激光器的产业化进程。在湖北武汉江夏区政府及相关部门的大力支持下，鑫威源完成了厂房建设。厂房位于江夏经开区大桥智能制造产业园，于2024年4月完成了厂房建设，总投资10亿元。同时，无尘车间内的恒温恒湿、净化、水处理及安全系统也相继达标并投入使用。

据悉，在项目团队的不懈努力下，鑫威源厂房竣工后迅速完成了超过一百台套制造设备的安装和调试，成功打通了芯片制造产线。在厂区内，公司完成了相关技术能力的转移，并顺利进行了产品试验生产。今年9月，武汉鑫威源实现了蓝光450 nm激光芯片的重大技术突破：阈值电流小于 0.25 A，功率大于7 W@3.5 A，光电转换效率WPE达到45%，芯片综合技术指标处于国内顶尖水平。产品技术可以满足市场对大功率氮化镓半导体激光器的应用要求，为后续的量产奠定了坚实的基础。