芯聚、海信、兆驰公布多项MicroLED新专利

每日LED 2024-10-12 18:39
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近日,芯聚半导体、海信视像、兆驰半导体、錼创科技、芯映光电、高科华烨、高科视像公布Micro LED新专利,涉及基板、显示模组、 MIP封装、巨量转移等。


芯聚半导体:Micro LED芯片及其制备方法


家知识产权局信息显示,苏州芯聚半导体有限公司公布“Micro-LED芯片及其制备方法”相关专利进入公布阶段,公开号CN118748233A。


该专利发明了一种Micro LED芯片及其制备方法,Micro LED芯片包括沿出光方向依次堆叠设置的第一发光层、第二发光层、第三发光层和基板、以及粘结各层的粘结层,粘结层包括多个透光孔,透光孔与发光层的发光单元芯片的出光方向对齐。


图片来源:国家知识产权局


该垂直堆叠式的Micro‑LED芯片通过透光孔的设计减少了光线穿过有机物的面积,避免了因有机物材料的不稳定性造成的透光率不确定、以及有机物材料引发的光颜色变化的问题,从而一方面显著提高了光传输效率和LED芯片的发光效率,减少了光损耗,另一方面提高了混光效果,保持了整个面板显示颜色的一致性。

所以,该Micro‑LED在尺寸更小的同时显著提升了显示效果,增强了显示亮度和色彩纯度,具有很高的实用价值和市场前景。

海信视像:叠层发光芯片及其制作方法

海信视像科技股份有限公司公布“叠层发光芯片及其制作方法”,公开号为CN118693196A。
图片来源:国家知识产权局

该发明涉及Mini/Micro LED技术领域,特别涉及一种叠层发光芯片及其制作方法。该叠层发光芯片包括发光结构体和基板,发光结构体包括依次层叠的第一反射层、第一外延层、第二反射层、第二外延层、第三反射层、第三外延层和第四反射层。


发光结构体设置在基板上,发光结构体的各层结构垂直于基板,第一外延层、第二外延层和第三外延层各自发出的光线经两侧的反射层来回反射后自各自的侧面出射,以使得发光结构体与基板相对的表面为出光面。由于各外延层的发光不会互相遮挡,可使得各层的发光利用率高,由于设置了反射层,各层之间不会串光干扰。各外延层不会互相遮挡使各层的尺寸能够设计的一致,利于芯片整体尺寸的进一步缩小,且发光芯片的热阻更低。


兆驰半导体:Micro-LED外延片及其制备方法


江西兆驰半导体有限公司公布Micro-LED外延片及其制备方法、Micro-LED,公开号为CN118712302A。

图片来源:国家知识产权局

该发明涉及光电技术领域,公开了一种Micro‑LED外延片及其制备方法、Micro‑LED,所述Micro‑LED外延片包括衬底,所述衬底上依次设有N型半导体层、应力释放层、多量子阱发光层、第一P型空穴注入层、第一P型半导体层、第二P型空穴注入层、第二P型半导体层、P型欧姆接触层;所述第二P型空穴注入层的生长温度高于所述第一P型空穴注入层的生长温度;所述第二P型半导体层的生长温度高于所述第一P型半导体层的生长温度。本发明提供的Micro‑LED外延片提高P型半导体层的空穴注入效率并改善多量子阱发光层区域电子空穴浓度的匹配度,从而提高Micro‑LED芯片在低工作电流密度下的光效。



錼创科技:微型发光二极管显示面板专利


錼创显示科技股份有限公司申请一项名为“微型发光二极管显示面板”的专利,公开号CN118748234A,申请日期为2021年8月。


图片来源:国家知识产权局


专利摘要显示,本发明提供一种微型发光二极管显示面板包括第一基板、第二基板、多个微型发光二极管、波长转换层、遮光图案层、滤光层以及空气间隙。


这些微型发光二极管设置于第一基板上,且分别位于多个子像素区内。这些微型发光二极管适于发出光束。波长转换层重叠设置于这些微型发光二极管的至少一部分。光束用于激发波长转换层以发出转换光束。遮光图案层设置于第二基板上。滤光层设置在波长转换层与第二基板之间,且重叠于这些微型发光二极管。空气间隙设置在这些微型发光二极管的任一者、第二基板、波长转换层与滤光层的任两相邻者之间。



芯映光电:一种LED基板及显示模组


芯映光电公布“一种LED基板及显示模组”相关专利进入授权阶段,公开号CN221766782U。


图片来源:国家知识产权局


该专利申请涉及一种LED基板及显示模组,所述LED基板包括:玻璃载板,所述玻璃载板的第一板面设置有导电线路;HDI线路板,所述HDI线路板固设于所述玻璃载板的第二板面,且所述HDI线路板与所述玻璃载板上的导电线路电连接,所述第一板面与所述第二板面分别位于所述玻璃载板的相对两侧。


专利通过在HDI线路板上设置玻璃载板,并将导电线路设置在玻璃载板上,玻璃载板的表面精度和平整度远远大于HDI线路板的表面精度和平整度,有利于芯片的固定安放,能够应用于Micro LED显示,解决了相关技术中HDI多层线路板制作的基板在Micro LED显示方面难以应用的技术问题。



高科华烨:一种Micro MIP器件制成方法


山西高科华烨电子集团有限公司公布“一种Micro MIP器件制成方法”相关专利进入公布阶段,公开号CN118693191A。


图片来源:国家知识产权局


该专利公开了一种Micro MIP器件制成方法,该方法包括以下步骤:S1.将含有LED芯片的COW与临时载板键合并进行激光剥离;S2.进行三色芯片的巨量转移,将三色芯片按照矩阵排列转移到同一载板上;S3.准备一块钢化玻璃,并在其单面进行胶水涂布;S4.在钢化玻璃表面按照矩阵排列进行金属走线和金属焊盘的沉积;S5.通过巨量焊接技术将芯片载板与已制备线路的钢化玻璃焊接;S6.通过激光剥离技术剥离芯片的载板;S7.对钢化玻璃上的结构进行封装;S8.通过隐切方式对Micro MIP器件进行切割。


通过本发明的制成技术,可以制备出Micro LED显示屏所需的Micro MIP器件,解决Micro MIP制成周期长、难以实现量产全自动的问题。本发明的制成方法简单高效。



高科视像:一种新型Micro LED巨量转移系统及方法


山西高科视像科技有限公司公布“一种新型Micro LED巨量转移系统及方法”相关专利并进入公布阶段,公开号CN118737911A。



图片来源:国家知识产权局


该专利发明提供了一种新型Micro LED巨量转移系统及方法,属于Micro LED巨量转移技术领域;解决了普通转移方法转移良率降低、检测修复困难的问题;包括集巨量转移、巨量检测和巨量修复于一体的巨量转移系统;巨量转移是利用转移头通过真空将芯片吸起,巨量检测是利用梯形保护罩两侧的光电检测装置测得Micro LED芯片的工作电压、亮度和发光波长等参数与预设值做比对,巨量修复是利用巨量转移头通过信息端反馈的数据,控制端控制吸嘴的开关,实现目标基板上芯片空缺位置的点对点补位。


本发明旨在优化Micro LED集成封装技术,并且通过新型的技术提升了巨量转移良率,降低修复成本,提高显示模组的色彩均匀度。



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