芝能智芯出品TechInsights 发布了一份新的内存报告，对整个技术和市场做了系统的表述，这篇报告对会员是免费的。我们摘录一部分核心观点，供大家去参考。
内存市场特别是DRAM（动态随机存取内存）和NAND闪存领域，在2025年将迎来重大变革。这些变化由多个因素共同驱动，比如全球技术的快速发展，特别是人工智能（AI）的兴起。
2025年，内存市场预计会有显著增长，AI是促进高带宽内存（HBM）和大容量固态硬盘（SSD）需求增长的关键因素。
以下是关于内存市场的五大预测：
● AI带动HBM增长：AI在深度学习和机器学习领域的应用正大幅增加对HBM的需求。
随着AI处理器和数据中心对低延迟和大数据处理的要求越来越高，HBM的销售量预计将增长70%。这将对传统DRAM市场产生重要影响，厂商可能更加倾向于生产HBM，而非普通DRAM。
● AI促进大容量SSD和QLC技术需求：AI对数据存储的需求同样促进了大容量SSD和四级单元（QLC）NAND技术的发展。
尽管QLC写入速度较慢，但其高存储密度和低成本优势非常适合AI工作负载，预计2025年数据中心对NAND的需求将增长超过30%。
● 资本支出向DRAM和HBM倾斜：为了满足AI应用日益增长的需求，内存市场的资本支出正逐渐偏向于DRAM和HBM。
随着厂商扩大产能来应对需求激增，DRAM的资本支出预计增长近20%。不过，这也意味着NAND生产的投资会减少，可能引发未来的供应问题。
● 边缘AI在2026年开始显现影响：边缘AI是指在靠近数据源的地方，如智能手机或个人电脑中实现AI功能。
尽管2025年边缘AI对市场的影响有限，但随着技术的成熟，预计2026年边缘AI设备的需求将显著增加，进一步推高内存市场的需求。
● 数据中心的AI重心延缓了传统服务器的更新：许多企业正将资源集中在提升AI能力上，而不是更新传统服务器。
然而，传统服务器的更新需求最终会出现，这可能导致2025年后DRAM和NAND需求的突然增加。
经过2022年和2023年的低谷后，内存市场正迎来强劲复苏。这次复苏主要得益于AI硬件需求的快速增长，特别是数据中心对HBM和大容量SSD的需求猛增。
2023年，HBM的需求增长了150%，预计2024年将再增长200%，2025年则有望增长70%。这种需求激增不仅推动了DRAM市场的资本支出，还加剧了内存供应的紧张状况。
在NAND市场，AI驱动的大容量SSD需求成为了市场复苏的关键。
2025年，30TB和60TB的高容量SSD因其低能耗和高效的存储能力，正迅速替代传统的机械硬盘。这促使NAND供应商更加关注QLC技术，以提高存储密度并降低成本。
市场复苏明显，但内存市场依然面临供应紧张和投资不足的问题。DRAM的投资主要集中在HBM生产上，而NAND领域的投资不足可能导致未来供应短缺。
同时，随着边缘AI设备的普及，对DRAM和NAND的需求将进一步增加，预计2025年整个内存市场的收入将超过2500亿美元。
内存技术正在快速进步，以适应不断增长的AI和高性能计算需求。以下是2025年内存技术的主要发展趋势：
● DRAM技术的发展：2025年，DRAM技术将重点关注支持AI和高性能计算的HBM、低功耗DDR5（LPDDR5）、图形处理DRAM（GDDR6）及低延迟DRAM（LLDRAM）。
高带宽内存处理技术（如三星的Aquabolt-XL）正引领市场，为AI应用提供更高效的数据处理能力。
更先进的制造工艺也在推动DRAM技术的进步，比如三星和SK海力士正在采用EUV光刻技术，以提高DRAM的微型化程度和性能。
预计到2025年，EUV光刻技术和高介电常数金属栅极（HKMG）工艺的改进将成为DRAM技术的主要发展方向。
● NAND技术的进步：NAND技术的发展重点在于提高存储密度和降低生产成本。由于QLC技术能够提供更高的存储密度，它正逐渐成为数据中心存储的首选方案。
随着AI需求的增长，供应商正加快研发1Tb以上高密度NAND芯片，以满足市场对高容量SSD的需求。
CXL-PNM（Compute Express Link-Processing Near Memory）技术的出现为NAND和DRAM的集成应用提供了新机遇，增强了内存技术在AI和边缘计算领域的应用潜力。
内存市场需求的回暖，2025年的供应链将面临新的考验。特别是HBM的需求增加可能导致传统DRAM供应减少，制造商需增加产能投资以缓解供需不平衡的压力。
预计到2025年，内存产品的交付时间将会延长，尤其是在HBM和大容量SSD领域。供应链管理将成为确保市场稳定的重要环节，特别是在AI和边缘计算需求持续增长的情况下。制造商需与客户紧密协作，保证供应链的顺畅运行。
2025年，内存价格预计呈现上升趋势，尤其在高性能内存领域。随着AI和边缘计算需求的增加，HBM、DDR5和大容量SSD的价格将继续攀升。
不过，由于成本效益较高，QLC NAND可能会成为企业和数据中心的首选，从而使NAND价格保持相对稳定。
内存市场价格的波动将受到供应链紧张和技术革新的双重影响。制造商不仅要提升技术水平，还要确保产能的稳步增长，以满足市场需求。
2025年，内存市场将在AI、边缘计算和数据中心需求的推动下实现显著增长。市场前景光明，但内存供应紧张和资本支出不平衡仍是挑战，内存市场将持续演变！
