功率半导体
封装、测试和可靠性
培训课
什么主题?
本次培训重点聚焦功率半导体器件封装、测试和可靠性关键技术和行业发展动态进行全面讲解,以实际案例为导向深入展示封装关键技术、测试方法、测试标准、测试设备以及实际测试中可能存在的问题。
培训亮点?
本次培训的主要特色是结合各企业的实际需求,贴近工业界,呈现最前沿的技术和发展动态,具有很高的时效性,核心内容基本上均是团队或行业近五年的研究成果,可以为工业界以及高校提供前沿数据,为专业人才的培养奠定基础。
什么内容?
本培训内容系统覆盖功率半导体器件从基础到应用的全面知识,包括器件分类、原理、封装工艺、特性测试(静动态、结温、极限能力)、可靠性评估(环境、电应力、功率循环)及高压芯片的特殊考量(如宇宙射线失效)。通过详尽的标准、方法、原理介绍,助力深入理解器件特性、可靠性分析及寿命预测。最后,结合行业趋势,对器件封装、测试与可靠性的未来发展进行展望,为从业者提供前瞻性的指导。
导师介绍
邓二平
2013年 本科毕业于哈尔滨工业大学
2018年 博士毕业后留校(华北电力大学)任教
2018-2020年 德国开姆尼茨工业大学博士后
2022年 加入合肥工业大学
博士 教授
2013年开始一直从事功率半导体器件的封装及可靠性研究,包括压接型IGBT器件的封装设计、可靠性测试方法、测试技术和测试设备的开发。
累积发表高水平论文120余篇,各类企业合作项目35项,国家级项目3项等。
合作单位
功率器件制造企业:德国英飞凌、日本东芝、德国 35PE,中车时代半导体、国网联研院、南瑞半导体、宏微科技、华为等;
功率器件应用企业:国家电网、中国铁科院、蔚来汽车、吉利汽车、中车时代变流器、华夏天信、中广核等;
科研院所:清华大学、北京航空航天大学、西南交通大学、工业和信息化部电子第四研究所、第五研究所(赛宝实验室)等。
Curriculum framework
培训
课程
框架
时长:
10月27-28日
(一天半)
—
1-2
部分
功率半导体器件
基础知识
3-5
部分
器件的特性
测试内容
6-8
部分
器件的
可靠性测试
9
部分
高压芯片及应用时
需要重点关注的问题
10
部分
结合前9部分
展望及预测
第1部分为功率半导体器件
重点从器件的应用角度出发来探究不同应用领域对功率半导体器件的需求,尤其是封装形式和可靠性的要求,然后针对不同芯片材料给出了现有主流器件(PiN二极管、MOS器件、IGBT器件、SiC MOSFET、GaN HEMT和GaAs二极管)的基本工作原理,最后从半导体芯片设计、工艺、测试角度出发介绍了半导体基本工艺、晶圆级测试和仿真分析技术。
第2部分为功率器件的封装
重点介绍了现有分立式封装、模块式封装和压接式封装三大类的特点、材料、工艺和设备、然后针对器件的栅极驱动以及数据表进行了深入解读,最后结合功率器件封装设计的需要,对封装的仿真分析技术进行了介绍。
第3部分为器件特性测试
重点从器件静态参数、动态参数和热学参数三个方面来展示论述,对测试标准、测试技术、测试设备等进行了分析,并结合各参数的特点分析了测试电路和难点等。
第4部分为器件结温测试
结温是功率器件封装、测试、可靠性和应用最重要的参数之一,其准确测量一直是行业难题。本部分重点从器件结温的定义、测试方法、测试原理以及存在的难点出发进行了详细论述,同时还展示了器件内部多芯片并联以及单芯片表面结温分布的测量技术。
第5部分为器件极限能力测试
重点对功率器件的短路能力、极限关断能力和浪涌能力的测试标准、测试技术和测试方法等进行了详细论述,探究了器件三种极限能力测试原理和失效机理,并提出了可靠性提升的改进方向。
第6部分为环境可靠性测试
首先对可靠性测试测试理论进行了探讨,然后主要分析了机械振动、机械冲击、温度冲击和高低温存储四类不需要施加电应力的可靠性测试技术、原理和失效机理。
第7部分为电应力可靠性测试
主要考虑环境应力与电应力的耦合,包括高温栅偏、高温反偏、高温高湿反偏的测试原理、方法、失效机理和判定以及可靠性提升技术。进一步地,考虑到有限仿真分析技术的优越性,还介绍了其在上述实验过程中的应用,以协助失效机理研究。
第8部分为功率循环测试
功率循环测试是评估器件封装可靠性和寿命模型建立最重要的测试,详细论述了现有各个测试标准规定的测试方法和技术,探究了不同测试方法对器件寿命和失效机理的影响。结合材料力学深入探究了功率器件键合线失效、焊料失效、表面铝金属化层等的物理失效机理和提升技术,讨论了器件寿命模型的建立方法和意义并分析了样本选取原则。同时,针对功率循环失效机理分析的有限元仿真技术也进行了详细论述,最后对宽禁带半导体的测试结果和难点进行了分析。
第9部分为宇宙射线失效
针对宇宙射线的来源、失效形式和机理进行了详细论述,核心考虑器件工作电压、海拔高度和工作结温对器件失效的影响,建立了失效率模型,并深入探究了Si MOSFET、SiC MOSFET和IGBT的失效特点,最后提出了抗宇宙射线提升技术。
第10部分为未来发展趋势
重点结合未来功率器件的应用需求,分析了器件在封装、测试和可靠性三个方面的挑战和发展趋势。
功率半导体
封装、测试和可靠性培训
报名方式
价格
(满30人开班)
单价:2980/人
2人团:2680/人
3人及以上团:2480/人
包含:培训资料、答疑互动、2顿商务餐
(交通住宿自理)
报名通道
扫描二维码报名