近日,业界消息传出联电洽谈出售8英寸晶圆厂,联电则回应“不评论市场传言”,但指出,其中1座8英寸厂将准备先试产化合物半导体氮化镓(GaN)技术。
据悉,联电目前拥有7座8英寸晶圆厂,1座6英寸晶圆厂,以及4座12英寸晶圆厂。其中,联电8英寸晶圆厂有6座位于竹科,另1座在苏州和舰;6英寸晶圆厂是位于竹科的联颖光电;12英寸厂分别在南科、新加坡、厦门联芯与日本。
联电8英寸到12英寸厂的制程技术涵盖0.5微米至22/28纳米。其中,22/28纳米占联电第二季营收比重达33%居最高,65纳米占15%营收比重居次,40纳米与90纳米各占12%。
对于业界传出的洽谈出售8英寸晶圆厂,联电回应“不评论市场传言”,但指出,已在开发8英寸化合物半导体的氮化镓(GaN)技术,将会先从其中1座8英寸厂先试产,至于何时试产看市场状况而定。
展望第三季,联电预期,第三季晶圆出货量将季增4%~6%,产能利用率估将回升至近70%,不过,受折旧增加及电费上涨影响,预期毛利率将维持35%上下,市场法人预期,联电第三季可望维持营运增长表现。
联电共同总经理王石指出,预期终端市场会有进一步改善,特别是在通信和电脑领域,将推动产能利用率的提升。联电的22/28nm业务持续驱动乐观的营收成长,在下半年,22/28nm已有多个设计定案(tape-outs),应用范围涵盖显示器驱动IC、通信和网络等领域。
联电表示,生成式AI未来市场潜力庞大,因此联电绝对不会在AI市场中缺席,看好包括高速传输、电源管理IC、MCU等相关市场芯片也会受惠增长,该公司目前在特殊制程的运营占比已达五成,公司对未来半导体及AI相关应用增长仍相当有信心。
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