据麦姆斯咨询报道，2024年10月18日至20日，西北工业大学教授乔大勇将参加《第66期“见微知著”培训课程：MEMS制造工艺》并进行授课，具体信息如下：
授课主题：基于SOI硅片的MEMS工艺
授课老师简介：
乔大勇，博士，长江学者特聘教授，西北工业大学教授、博士生导师。他是微机电系统（MEMS）领域资深专家，先后主持包括国家自然科学基金重点项目和国家重点研发计划在内的科研项目14项，主要研究方向为微光机电系统（MOEMS）和微/纳制造工艺。他出版《微机电系统》国家级规划教材一部，出版国家学术著作出版基金资助专著《微机电系统（MEMS）制造技术》一部。
授课背景及内容：
绝缘体上硅（SOI）是在两层硅中间引入一层氧化层，形成一种“硅-二氧化硅-硅”三明治结构的硅片，其中，顶层硅称为器件层（device layer，单晶），底层硅称为衬底层或体硅层（handle layer，单晶），二氧化硅层称为埋氧层（buried layer，热生长氧化硅）。SOI硅片有益于制造先进的MEMS、传感器、功率和射频器件。基于SOI硅片的MEMS工艺流程包括掩膜制备、干法刻蚀、结构释放、硅片去掩膜等。干法刻蚀，例如深反应离子刻蚀，直接影响最终MEMS结构的尺寸精度。一方面，深反应离子刻蚀得到结构尺寸的变化直接影响器件的性能；另一方面，在利用深反应离子进行SOI硅片刻蚀时必须保证刻蚀深度等于SOI硅片器件层的厚度，根据后续不同的释放方法确定合适的刻蚀时间。本课程剖析基于SOI硅片的MEMS工艺存在的特色问题，讲解SOI标准工艺并介绍典型MEMS器件的工艺流程。
课程提纲：
1. SOI及C-SOI硅片概述；
2. SOI工艺的特色问题：电荷积聚、沟道隔离、双面对准等；
3. 基于SOI工艺的典型MEMS器件：MEMS微镜、微惯性器件等；
4. 两种典型的SOI标准工艺介绍。
培训详情：
https://www.memstraining.com/training-66.html
