市场消息，Coherent Corp（原II-VI）今天宣布推出其8英寸碳化硅外延晶片（SiC 外延晶片）。目前公司可出货的产品为350μm和 500 μm的衬底和外延片产品。
作为一家专注于 SiC 衬底和外延片的制造商，Coherent 将这些元素结合在一起，提供卓越的质量、性能和可靠性。8英寸 SiC 外延晶片采用尖端厚度和掺杂均匀性设计，树立了新的行业标准并支持生产卓越的 SiC 功率半导体。SiC 材料业务部副总裁兼总经理 Gary Ruland 表示：“凭借我们的先进技术，我们不仅提高了 SiC 器件的质量，而且还满足了关键领域对8英寸碳化硅日益增长的需求。”SiC 器件是电动和混合动力汽车、能源基础设施和高功率电动汽车充电器中电力转换不可或缺的一部分。晶圆直径从6英寸过渡到 8英寸，以满足对 SiC 半导体日益增长的需求，使制造商能够在每个晶圆上生产更多器件。这一转变有望提高生产率并降低 SiC 器件的成本，从而使广泛的应用受益。
通过采用更大的晶圆，SiC 器件制造商可以实现更高的产量和更高的成本效率，因为每个晶圆的可用面积增加了 1.8 倍。采用最先进的8英寸设备也带来了额外的优势，同时也符合行业对更高性能和更低运营成本的追求。“尺寸越大，单位芯片成本越低”是SiC衬底发展中公认的降本路径。
碳化硅晶圆尺寸正在快速从6英寸向8英寸跃迁，国内外主流功率半导体大厂都已经将8英寸量产提升了日程，以碳化硅全球龙头Wolfspeed为例，2023年7月，Wolfspeed宣布其8英寸工厂已开始向中国终端客户批量出货SiC MOSFET，已经开始正式量产8英寸器件。其他海外大厂的量产时间也纷纷放在了2024年底-2026年这个节点上，并开始大规模进行投资。如果从各大厂商的布局上看，8英寸晶圆制造量产产能的布局将在2024年-2025年完成，可以说已经进入了量产前夜。根据各大海外企业公布的信息，仅海外主流功率半导体大厂的产能规划，预计到2026年，8英寸产能将超9万片/年。
衬底和外延角度看，国产企业的优势十分明显，过去一年，国内衬底材料的技术进步非常快，从国内衬底头部企业合作信息披露来看，海外大厂英飞凌、博世、onsemi等公司均已开始批量在6英寸的车规级产品制造中使用国产衬底。
同时，国内的8英寸衬底样片出海送样也非常积极，此前在我们对欧洲某头部功率半导体大厂的采访调研中获悉，该企业对国内8英寸衬底送样质量感到惊喜，并在内部8英寸晶圆线调试中使用了国产8英寸衬底，并且计划在国内选择2-3家供应商供货。他们选择国产衬底的主要原因是质量参数与国外头部相差无几，但成本要明显优于海外企业。
值得注意的是，国内企业在8英寸衬底样片的开发节奏上，远快于当年4英寸转6英寸衬底时的切换速度,量产节奏如何呢？根据天岳先进在此前的行业调研披露的信息，当前行业内产业化和批量供应方面，导电型碳化硅衬底仍以6英寸为主，国内外尚未实现8英寸衬底的大规模供应。但公司已在8英寸碳化硅衬底上已经具备量产能力，根据下游客户需求情况合理规划产品产销安排。根据我们的调研信息演示，天岳、烁科等主流衬底企业已有超过大几千片的月产出，所以国产衬底与海外材料厂在8英寸的竞争上也将正式拉开帷幕，而在这竞争中，国产碳化硅材料已具备非常明显优势了！
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