意法半导体推出第四代碳化硅MOSFET技术

意法半导体（ST）推出第四代STPOWER碳化硅（SiC）MOSFET技术，在功率效率、功率密度和稳健性方面树立了新的标杆。

在满足汽车和工业市场需求的同时，这项新技术还特别针对牵引逆变器进行了优化，牵引逆变器是电动汽车（EV）动力总成的关键部件。作为对创新的承诺，该公司计划到2027年引入更多先进的SiC技术创新。

与前几代产品相比，第四代MOSFET的导通电阻RDS（on）显著降低，从而最大限度地减少了传导损耗，并提高了整体系统效率。它们提供更快的开关速度，从而降低开关损耗，这对于高频应用至关重要，并可实现更紧凑、更高效的电源转换器。第四代技术在动态反向偏置（DRB）条件下提供额外的稳健性，超过AQG324汽车标准，确保在恶劣条件下可靠运行。

在第四代中，意法半导体继续提供出色的RDS（on）x 芯片面积品质因数，以确保高电流处理能力和最小损耗。以25摄氏度的RDS（on）为基准，第四代器件的平均芯片尺寸比第三代器件小12-15%，从而实现更紧凑的电源转换器设计，节省宝贵的空间，并降低系统成本。

新型SiC MOSFET器件将提供750V和1200V等级，将提高400V和800V电动汽车总线牵引逆变器的能效和性能，将 SiC的优势引入中型和紧凑型电动汽车，这些关键细分市场有助于实现大众市场采用。新一代SiC技术也适用于各种高功率工业应用，包括太阳能逆变器、储能解决方案和数据中心，显著提高这些不断增长的应用的能源效率。

意法半导体已经完成了第四代碳化硅技术平台的750V级认证，预计将在2025年第一季度完成1200V级的认证。标称额定电压为750V和1200V的器件将陆续投入商业使用，使设计人员能够满足从标准交流线路电压到高压EV电池和充电器的应用需求。

   第八届国际碳材料大会暨产业展览会

——宽禁带半导体及超精密加工论坛&金刚石前沿应用及产业发展论坛

第八届国际碳材料大会暨产业展览会（Carbontech 2024），将于12月5-7日在上海新国际展览中心召开。

针对新型半导体（金刚石、氧化镓、氮化镓、碳化硅、AlN……）以及超精密加工（材料、工艺、设备）设置宽禁带半导体及超精密加工论坛、金刚石前沿应用及产业发展论坛两大论坛。展会针对金刚石及其功能化应用主题、半导体超精密加工设置10000㎡专题展区，将展示最新金刚石晶圆、量子钻石、热沉金刚石等功能化产品及相关器件，欢迎莅临现场交流、合作。

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Carbontech 2024 W1馆部分参展企业：

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