激光背金去除技术：碳化硅晶圆加工的高效解决方案

在碳化硅（SiC）晶圆片的芯片制造流程中，为了完成芯片的独立化并顺利进入封装与测试阶段，晶圆片需要经过精确的切割与分片处理。作为其中重要的一环，碳化硅芯片背面的镀金（漏极）层处理对于提升芯片的电气性能至关重要。然而，传统的金刚石刀轮切割技术虽然相对成熟，但面临着效率低、耗材多、材料浪费严重等问题，限制了大规模生产的推进。

为了应对这些瓶颈，激光加工技术成为了一项极具潜力的替代方案。与传统切割方法相比，激光加工采用无接触式操作，不需要耗材，能够高效且精准地去除背金层，同时保持碳化硅基底的完整性。这一技术的应用大幅提高了加工效率，并显著降低了材料损耗，成为背金去除和晶圆分片的理想选择。

在实际应用中，激光束以准直方式通过聚焦切割头，精确作用于碳化硅材料的背金层，确保去除厚度精确控制在10微米以内，且去除宽度符合工艺要求，通常不小于正面沟道的一半。具体加工步骤中，碳化硅晶圆片被倒置放置于透明吸附治具上，通过CCD摄像头辅助定位，准确抓取晶圆片上的沟道进行对位。激光束随后聚焦至背金层进行高精度去除。以皮秒紫外激光器为例，该设备能够实现沟道宽度为100微米的正面精度，同时在背金面上去除宽度达到50微米以上，去除深度可控制在3微米左右。这种高精度加工不仅提升了去除效果，还减少了对基底材料的影响，从而确保了芯片性能和质量的稳定性。

图源：公开网络

激光背金去除技术的引入为碳化硅晶圆片加工中的背金处理提供了更加高效、稳定和环保的解决方案。随着碳化硅材料在电力电子器件中的应用不断扩大，激光技术将在半导体加工工艺中发挥更加重要的作用。