美光宣布G9NAND闪存量产，276层!

美光科技宣布其第九代（G9）TLC NAND SSD开始量产，这是该行业的一个重要里程碑。G9 NAND具有3.6 GB/s的传输速度，为数据读取和写入提供了出色的带宽。这种先进的NAND技术旨在提高个人设备、边缘服务器、企业和云数据中心的AI和数据密集型应用的性能。

美光技术和产品执行副总裁Scott DeBoer强调了技术进步，他说:“美光G9 NAND的出货展示了美光在工艺技术和设计创新方面的专业知识。”G9 NAND的存储密度最高可提高73%。

美光G9 NAND的数据传输速度比目前SSD中使用的任何NAND都提高了50%。与现有的NAND解决方案相比，它还拥有高达99%的写带宽和88%的读带宽。这些改进转化为SSD和嵌入式NAND解决方案的显著性能和能效提升。G9 NAND采用紧凑的11.5 mm*13.5 mm封装，比竞争产品节省28%的面积，是目前最小的高密度NAND。这种较小的封装最大化了跨各种用例的设计选项。

美光执行副总裁兼CEO Sumit Sadana强调:“美光连续三代引领行业引入创新的NAND技术。与竞争对手相比，集成美光G9 NAND的产品将具有显著的性能优势。”

美光2650 SSD集成美光G9 NAND

美光2650 NVMe SSD集成了G9 TLC NAND，可在日常计算中提供卓越的用户体验，在PCMark 10测试中超过竞争对手。美光副总裁兼客户端存储总经理Prasad Alluri表示:“美光2650 SSD已经接近PCIe Gen4的理论饱和水平，它利用了我们新的G9 NAND，重新定义了TLC客户端SSD可以实现的价值。”与竞争解决方案相比，该驱动器可提供高达38%的PCMark 10基准分数。

IDC固态硬盘和使能技术研究副总裁Jeff Janukowicz指出:“人工智能的进步正在产生更多的数据，推动了对增强存储性能的需求。像美光2650这样的SSD受益于最新的NAND创新，将对广泛的用户至关重要。”

美光2650 NVMe SSD通过其动态SLC缓存实现更快的写入速度，从而提供可靠的性能。它为PCIe Gen 4实现了高达7,000 MB/s的顺序读性能，比竞争对手的顺序读性能提高了70%，顺序写性能提高了103%，随机读性能提高了156%，随机写性能提高了85%。这些指标突出了美光致力于推进技术和提供高性能解决方案的承诺。