基于二维半导体ReSe₂的高频-超高频纳米机电谐振器

MEMS 2024-09-20 00:02

《中国科学:信息科学》英文版(SCIENCE CHINA Information Sciences)近日发表了电子科技大学的研究成果,文章题为“HF-VHF NEMS resonators enabled by 2D semiconductor ReSe₂”,于2024年第67卷第10期刊出。电子科技大学王曾晖、夏娟、朱健凯、徐博为通讯作者;电子科技大学基础与前沿研究院为第一完成单位。该研究得到了国家杰出青年科学基金、国家自然科学基金原创探索计划等项目的支持。

二维半导体为构建新型纳米器件提供了大量的机会,作为其中的代表二硒化铼(ReSe₂)已在二维激光、晶体管和光电探测器等领域取得了一系列进展。研究者们通过干法转移技术,制备了从单层到超百层的30余个圆形ReSe₂鼓膜谐振,器件工作在高频-超高频范围。

在进一步对器件谐振的实验数据进行总结和分析后,研究人员们成功确定了二维ReSe₂晶体的杨氏模量为110 GPa,并确立了ReSe₂纳米机电器件的频率设计规律。上述成果有望为新型ReSe₂纳米器件的设计及其应用提供重要的指导,并推动二维ReSe₂纳米机电器件的发展。


ReSe的晶体结构,基于1-3层ReSe材料的纳米机电器件,及此类器件的频率设计规律和二维ReSe晶体的杨氏模量提取。

论文详情:
https://doi.org/10.1007/s11432-024-4047-2

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