新增一8吋SiC工厂!2026年投产

原创 第三代半导体风向 2024-09-19 17:57
播:合盛新材料、芯聚能、安海半导体、三安半导体、烁科晶体、天岳先进、青禾晶元、恒普技术、华卓精科、快克芯装备、泰坦未来、东尼电子、科友半导体、长联半导体、瑶芯微、致领半导体、奥亿达新材料、瑞霏光电、才道精密、亿值旺、纯水一号、中科光智、成都炭材、思锐智能、三义激光、中电化合物、森国科、士兰微、清软微视、清连科技、弘信新材、高泰新材、创锐光谱等已正式参编《2024碳化硅(SiC)产业调研白皮书》,详情请点文章底部“阅读原文”

“行家说三代半”近日发现,奥地利一家SiC厂商正在建设6吋/8吋SiC项目,其中8吋衬底已经成功研发,预计在2026年实现投产

值得一提的是,该公司还拥有自主的SiC粉料工艺及人工智能晶圆检测技术,致力于打造欧洲自主的SiC供应链,更多详细内容请往下看:

奥地利EEMCO:

8吋SiC工厂2026年投产

据“EEMCO”官网消息,目前他们正在使用专有的PVT工艺在专用炉中生产高质量的6/8吋SiC晶体,并将8吋SiC技术引入了位于挪威的ARCTIC SiC衬底,该工厂将于2026年开始运营。

EEMCO表示,ARCTIC SiC衬底厂100%使用水力发电,标志着欧洲将落成首个零排放SiC生产设施。未来,公司将充分利用EBNER在长晶炉设计和晶体生长方法方面的丰富经验,不断改进和完善其制造工艺,打造欧洲自主的SiC衬底供应体系。

“行家说三代半”了解到,EEMCO隶属于EBNER集团,EBNER集团原专注于工业炉制造,但该集团团队于2018年开始了对SiC生长技术的深入研究和开发,并于2020年成立了EEMCO。

2023年3月,EEMCO还联合奥地利的莱奥本矿业大学共同开发新的建模方法,目标是帮助碳化硅企业提高单晶生长质量——他们认为,虽然传统物理建模已经很先进了,然而这需要大量的数据和相应数量的实验,需要耗费大量的时间和财力;他们希望结合基于物理和数据驱动的模型,以获得尽可能高效和可预测的碳化硅晶体生长方法;合作期间,EEMCO共运营着15个研究炉。

此外,EBNER集团还于2021年成立了专门研究碳化物粉料的公司——SICREATE,SICREATE专为EEMCO提供高纯度SiC粉末,其产品线包括两种类型的SiC粉末(导电型与半绝缘型),均达到6N的高纯度级别,粒径范围从0.1毫米至2毫米。

据介绍,SICREATE采用了一种超高真空硅碳化物烧结工艺,所生产的SiC粉末在单次生产周期内就能达到高标准的纯度和粒度,无需额外的机械或化学后处理。与市场上其他同类产品相比,SICREATE的粉末以其多样化的粒度、低氮含量、极少的金属和化学杂质,以及低CO排放而脱颖而出。

EEMCO通过其“姊妹公司”实现了内部供应SiC粉末,确保了原材料的高质量和供应稳定性;不仅如此,针对SiC晶圆的质量把关,EEMCO还与Evident进行合作(后者是一家提供工业成像解决方案的公司),利用定制软件和人工智能技术,提高了晶圆上缺陷检测和表征的准确性和效率。

EEMCO介绍到,基于Evident的PRECiV™软件平台,能够对大尺寸SiC晶圆进行光学分析;双方合作设计了一个包括图像获取和分析的定制工作流程,这个工作流程涉及高分辨率图像的获取、图像分割以及使用神经网络进行缺陷检测,以便EEMCO能够更有效地控制和监测其生产过程以及最终产品的晶圆质量。

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盘点近期8吋SiC项目进展

《季报Q3》即将推送

进入第三季度以来,8吋SiC项目的建设更加火热,如汉磊&世界先进、天岳先进等企业宣布了建线新动作;合盛新材、三安、英飞凌等企业的8吋项目也都按下了“加速键”。

行家说产研中心日前在编制《季度内参——第三代半导体与新能源汽车(2024Q3)》,其中对相关动态进行了详细汇总。这份《季报Q3》即将发布,前2季度报告可扫描下方二维码回顾↓↓↓。

《季度内参——第三代半导体与新能源汽车(2024Q3)》(节选)

● 三安:9月19日,据财联社报道,三安光电证券部人士透露,主要生产8英寸碳化硅衬底的重庆三安项目已实现衬底厂的点亮通线。

● 汉磊&世界先进:9月10日,汉磊科技发布公告,宣布与世界先进集成电路股份有限公司签订策略合作协议,双方将携手合作,推动化合物半导体8英寸SiC晶圆的技术研发与生产制造。相关技术初期由汉磊转移,预计2026下半年开始量产。

● 合盛新材料:9月10日,合盛硅业官微消息,旗下子公司合盛新材料于近期正式宣布8英寸导电型4H-SiC衬底项目已实现全线贯通。

● 天科合达:8月13日,据“北京市生态环境局”披露,北京天科合达半导体股份有限公司的SiC衬底产业化基地二期项目已通过环评审批,该项目投产后将实现年产约37.1万片导电型碳化硅衬底,其中6英寸导电型碳化硅衬底23.6万片,8英寸导电型碳化硅衬底13.5万片。

● 英飞凌:2024年8月8日,英飞凌正式启用马来西亚居林新SiC晶圆厂的一期工程,并为该晶圆厂举行了落成典礼。英飞凌首席执行官Jochen Hanebeck、马来西亚首相拿督斯里安瓦尔等出席了揭牌仪式。

● 天岳先进:7月9日,天岳先进发布公告称,将募资3亿元资金用于“8 英寸车规级碳化硅衬底制备技术提升项目”。该项目投资总额预计约3.86亿元,建设周期为24个月,将在上海天岳现有厂区建设,目前已完成项目备案,环评手续正在准备过程中。

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