9月17日至18日，夏普公司举办了“ SHARP Tech-Day'24”活动，对外展示了“人工智能”、“新能源汽车”、“绿色能源”、“工业”、“通信”等领域的创新技术方案。
夏普这次还展示了一项新型功率半导体技术——低功耗的硅基功率半导体FCR逆变电路技术，能够大幅降低空调等家电产品以及数据中心服务器电源的功耗。
据“行家说”了解，夏普的FCR技术的优势主要包括3点：
●开关速度：堪比SiC MOSFET；
●成本：比SiC MOSFET便宜了60%左右；
●开关损耗：相比传统硅基功率半导体减少75%，可将三相逆变器电路的功耗降低50%。
众所周知，相较于碳化硅和氮化镓，硅基MOSFET在开关操作中的损耗是比较大的，这主要是由寄生二极管产生的反向恢复电流造成的。
为了解决硅基MOSFET的损耗较高的问题，夏普最新开发了一种FCR 电路技术，它是由3个关键元器件构成的，包括：1颗高速硅基MOSFET、1颗高耐压硅基MOSFET和1颗电容器。
FCR 电路的原理是将高速和高耐压硅基MOSFET进行串联，并通过使用电容器同步工作，从而能够有效地抑制反向恢复电流。
据夏普公司介绍，基于硅基MOSFET的FCR产品，实现了与SiC MOSFET相当的低损耗水平，可显著降低硅基功率半导体开关损耗——仅为传统硅功率半导体的四分之一，在三相逆变器电路中，整体功率损耗更可降至二分之一。
FCR 电路技术
成本方面，据夏普介绍，传统硅基MOSFET的单价为400 日元（约合人民币19.8元），开关性能系数为0.05；SiC 功率半导体的单价为1200 日元（约合人民币59.6元），开关性能系数为 0.25；而FCR 电路技术的单价为 500 日元（约合人民币28.4元），开关性能系数为 0.20-0.25。可以看出，FCR 电路技术具有较高的性价比。
目前，夏普的FCR逆变器电路是由分立的硅基器件所构成的电路板设计，但他们计划在未来几年内将这种电路做成模块化产品，甚至还会做成单芯片集成产品方案，从而进一步实现小型化。
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