9月17日，日本碍子株式会社（NGK Insulators）在官网宣布，他们已完成了8英寸SiC的制备，将在ICSCRM2024国际会议中首次展出。
据悉，他们将携 8英寸SiC晶圆出席2024年9月29日至10月4日在美国北卡罗来纳州举行的碳化硅及相关材料（ICSCRM2024）国际会议，并在会上介绍其最新的SiC晶圆研究成果。
“行家说三代半”了解到，日本碍子是一家全球知名的陶瓷技术公司，其业务范围广泛，包括汽车尾气净化产品、电力和能源设备、电子陶瓷元件、特殊金属和高性能陶瓷材料等。此次他们在8英寸碳化硅领域的突破，也表明他们正在积极扩展其业务范围，涉足碳化硅等先进材料的研发和制造。
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除了首次对外展示8英寸SiC晶体之外，日本碍子研究团队还将在会议上发表演讲，重点围绕“多片籽晶上低BPD密度4H-SiC晶体的同步生长”的新技术。
据称，日本碍子开发了一种能够在多片SiC籽晶上同时进行晶体生长的新方法，并进行了在4英寸4H-SiC籽晶上同时生长9个晶体的生长实验；结果表明，籽晶与晶体生长层界面附近，BPD密度可以大幅降低。
这该技术原理上可以实现低成本且低BPD密度的晶体生长，演讲还将披露BPD密度在晶体层面内的分布情况。
值得一提的是，8月30日，上海汉虹通过使用自行研发制造的碳化硅长晶炉，也成功拉制出高品质8英寸碳化硅晶体，此晶体具备优良的均匀性和低缺陷密度，直径达到200毫米标准，电阻率和晶向均符合高端应用要求。
据行家说产研中心《季度内参——第三代半导体与新能源汽车（2024Q3）》统计，目前全球8英寸SiC玩家共31家；其中中国企业占20家。
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