氧化镓凭借其性能与成本优势，有望成为继碳化硅之后最具潜力的半导体材料，近年来热度不断上涨，频频传出各类利好消息。9月12日，据杭州富加镓业科技有限公司（以下简称：富加镓业）官微消息，富加镓业6英寸氧化镓单晶及外延片生长线于9月10日在杭州富阳开工建设。资料显示，富加镓业成立于2019年12月，致力于超宽禁带半导体氧化镓材料的产业化工作，主要从事氧化镓单晶材料生长、氧化镓衬底及外延片研发、生产和销售工作，产品主要应用于功率器件、微波射频及光电探测等领域。据称，富加镓业是国内目前唯一一家同时具备6英寸单晶生长及外延的公司，开工建设的6英寸氧化镓单晶及外延片生长线也是国内第一条6英寸氧化镓单晶及外延片生长线。
据富加镓业介绍，氧化镓单晶可以通过熔体法生长，从而在制备成本、单晶质量、缺陷或尺寸等方面相对于宽禁带半导体碳化硅、氮化镓材料及超宽禁带半导体氮化铝、金刚石材料有明显优势。此外，氧化镓材料的热处理温度及硬度均与单晶硅较为接近，从单晶硅器件线转为氧化镓器件线仅仅需要更换5%设备，相比而言，碳化硅材料硬度较大，且热处理温度较高，从单晶硅器件线转为碳化硅器件线，需要更换25%设备。富加镓业表示，现存单晶硅的器件线以6英寸及8英寸为主，氧化镓单晶材料及外延片需要跨过6英寸门槛后才能进入产业化快车道。现阶段，富加镓业已经实现了6英寸导电型及绝缘型氧化镓单晶衬底的制备，单晶外延技术也取得重要进展，已达到6英寸硅基器件线产业化门槛。据集邦化合物半导体了解，包括富加镓业在内的国内厂商和研究机构正在加速布局氧化镓产业，并取得了一系列成果。去年2月，中国电科46所成功制备出6英寸氧化镓单晶，技术达到了国际一流水平。
同年10月，北京铭镓半导体有限公司实现了4英寸氧化镓晶圆衬底技术突破，推出多规格氧化镓单晶衬底并首发4英寸（100）面单晶衬底参数。而在今年2月，镓仁半导体联合浙江大学杭州国际科创中心先进半导体研究院、硅及先进半导体材料全国重点实验室，采用自主开创的铸造法成功制备了高质量6英寸非故意掺杂及导电型氧化镓单晶，并加工获得了6英寸氧化镓衬底片。在此基础上，镓仁半导体于今年7月制备出了3英寸晶圆级（010）氧化镓单晶衬底。
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