3DNAND技术最新进展

随着行业继续快速发展，了解3D NAND技术领域主要参与者的进展至关重要。本文深入了解来自三星，KIOXIA/WD，美光，SK海力士/Solidigm, YMTC和MXIC等行业巨头的最新进展。

三星一直处于3D NAND领域创新的最前沿。他们已经将V7过渡到双层结构，并引入COP集成以提高性能。随着V8 236L 1Tb TLC产品的发布，三星展示了其推动技术向前发展的承诺。与其他主要竞争对手类似，未来三星已经计划推出搭载280L COP V-NAND和混合键合技术的V9。

为了保持BiCS结构，KIOXIA和WDC一直致力于提高层数。随着BiCS第八代218层和后续版本的计划，KIOXIA展示了其致力于推进NAND技术的决心。

美光向CTF CuA集成的转变使其能够通过发布176L和232L产品来引领市场。他们还在开发Gen7，可能跳过300层节点，瞄准400层设备，展示了他们对未来创新的雄心。

SK海力士将继续使用4D PUC结构，并计划批量生产238L V8 4D PUC产品。SK海力士此次公开了321层的V9样品，预计将在不久的将来推出370层或380层的产品。

YMTC的Xtacking结构有了显著的进步，从176L跳到232L。尽管面临芯片禁令带来的挑战，YMTC仍然专注于开发更先进的QLC设备和多xtacking技术。

MXIC已经凭借其第一代3D NAND芯片进入市场，应用于任天堂Switch等产品。随着第二代96L的计划，MXIC准备在行业中取得进一步的进步。

展望未来，3D NAND技术看起来很有希望，在未来两到三年内，有可能看到超过500层的产品。先进的混合键合技术将在实现更高的层数方面发挥关键作用，可能在五年内实现600或700层封装解决方案。