英飞凌推出全球首款12英寸GaN功率晶圆技术！

英飞凌日前表示，它已经开发出世界上首款12英寸氮化镓(GaN)晶圆技术，该技术为世界首创，希望满足高能耗人工智能数据中心和电动汽车中使用的功率半导体快速增长的需求。

该公司表示，使用更大尺寸的GaN晶圆生产芯片将更加高效，12英寸可以容纳的GaN芯片数量是8英寸(直径200mm)晶圆的2.3倍。目前，所有尖端处理器芯片都是在12英寸晶圆上制造的，电源芯片行业主要使用8英寸晶圆。

GaN是芯片制造中硅的替代品，GaN芯片因其效率、速度、重量轻以及在高温和高电压下工作的能力而受到青睐。

英飞凌科技首席执行官Jochen Hanebeck表示：“这项重大成功是英飞凌的创新实力和全球团队努力工作的结果，进一步展现了我们在GaN和功率系统领域创新领导者的地位,。这一技术突破将推动行业变革，使我们能够充分挖掘GaN的潜力。在收购GaN Systems近一年后，我们再次展现了在快速增长的GaN市场成为领导者的决心。作为功率系统领域的领导者，英飞凌掌握了全部三种相关材料，即：硅、碳化硅和氮化镓。”

英飞凌电源与传感器系统总裁Adam White表示，首批样品将于2025年第四季度向客户提供。

基于GaN的功率半导体正在工业、汽车、消费、计算和通信应用中快速普及，包括AI系统电源、太阳能逆变器、充电器和适配器以及电机控制系统等。先进的GaN制造工艺能够提高器件性能，为终端客户的应用带来诸多好处，包括更高的效率、更小的尺寸、更轻的重量和更低的总成本。此外，凭借可扩展性，300 mm制造工艺在客户供应方面具有极高的稳定性。

英飞凌已在其位于奥地利菲拉赫(Villach)的功率半导体晶圆厂中，利用现有300 mm硅生产设备的整合试产线，成功地生产出300 mm GaN晶圆。英飞凌正通过现有的 300 mm硅和 200 mm GaN的成熟产能发挥其优势，同时还将根据市场需求进一步扩大GaN产能。凭借300 mm GaN制程技术，英飞凌将推动GaN市场的不断增长。

由于GaN和硅的制造工艺十分相似，因此300 mm GaN技术的一大优势是可以利用现有的 300 mm硅制造设备。英飞凌现有的大批量300 mm硅生产线非常适合试产可靠的GaN技术，既加快了实现的速度，又能够有效利用资本。300 mm GaN的全规模化生产将有助于实现GaN与硅的成本在同一R DS(on) 级别能够接近，这意味着同级的硅和GaN产品的成本将能够持平。

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