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昨天，英飞凌又宣布一里程碑事件——成功开发出全球首款12英寸氮化镓晶圆，并计划在2024年11月慕尼黑electronica贸易展上首次向公众展示。
9月11日，英飞凌在官网宣布，他们在奥地利Villach功率工厂中，成功利用现有的 12英寸的硅基半导体生产线，在一条集成试验线上制造出了12英寸GaN 晶圆，标志着英飞凌在氮化镓技术领域取得了突破性进展。
英飞凌表示，12英寸晶圆上的芯片生产在技术上更先进，效益更高，与8英寸晶圆相比，单片晶圆可容纳 2.3 倍的芯片。
英飞凌首席执行官Jochen Hanebeck表示：“这一显著的成功是我们创新实力和全球团队不懈努力的结果，展示了我们在氮化镓和功率系统领域的创新领导地位。这项技术突破将成为行业的游戏规则改变者，使我们能够释放氮化镓的全部潜力。在收购GaN Systems近一年后，我们再次证明了我们决心成为快速增长的氮化镓市场的领导者。作为功率系统的领导者，英飞凌已掌握了所有三种相关材料：硅、碳化硅和氮化镓。”
Jochen Hanebeck展示300mm GaN
英飞凌进一步介绍道，300毫米氮化镓技术的一个显著优势在于能够与现有的300毫米硅制造设备兼容，这得益于氮化镓和硅在生产过程中的相似性。英飞凌已经拥有的高产量300毫米硅生产线，为测试和实施氮化镓技术提供了理想的平台，这不仅加快了技术的推广速度，还提高了资本的利用效率。当300毫米氮化镓生产实现全面规模化时，将有助于在特定性能指标（如R DS(on)）上实现氮化镓与硅的成本平价，这意味着在性能相当的条件下，氮化镓和硅产品的成本将趋于一致。
未来，英飞凌将根据市场需求进一步扩大氮化镓产能，300mm氮化镓制造将使英飞凌能够塑造不断增长的氮化镓市场，预计到本十年末市场规模将达到数十亿美元。
实际上，除英飞凌外，全球还有4家企业也曾宣布实现了12英寸GaN突破，分别是信越化学、晶湛半导体、英特尔及IVWorks——
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● 英特尔：推出12英寸GaN器件
2021年6月，英特尔展示了其首款氮化镓(GaN) 稳压器，该稳压器最独特之处在于采用了5项技术，将GaN功率和GaN射频晶体管，与硅PMOS的整合成一个片上系统，既可以实现高频操作，又可以实现高功率密度。而且该器件是基于12英寸硅晶圆，成本十分有优势。
● 信越化学：开发出面向GaN的12英寸QST™衬底
9月3日，信越化学株式会社宣布，他们推出了300 毫米（12 英寸）QST™ 衬底，这是一种专用于 GaN 的生长衬底，最近开始供应样品。
据悉，信越化学已经在150毫米和200毫米的QST™衬底设备上进行了增强，并计划未来进行300毫米QST™衬底的量产化。
● 晶湛半导体：展示12英寸GaN外延
2021年9月，晶湛半导体向公众展示了12英寸、1200V的硅基GaN外延片，为采用主流的12英寸CMOS生产线制造GaN HEMT晶体管铺平了道路。
据介绍，早在2014年晶湛就推出商用的8英寸硅基GaN高压HEMT外延片；他们将其AlGaN/GaN HEMT外延工艺转移到12英寸硅衬底，同样保持了出色的厚度均匀性和50μm以内的低晶圆翘曲。
● IVWorks：建设了12英寸氮化镓生产设施
IVWorks是一家韩国氮化镓外延企业，成立于2011 年。该公司是韩国第一家实现8英寸硅基GaN外延片和6英寸碳化硅基GaN外延片的晶圆厂，并且有消息称，他们已在韩国首次建设了12英寸氮化镓生产设施。
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